【技术实现步骤摘要】
化学气相淀积装置及其调节方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种化学气相淀积装置及其调节方法。
技术介绍
化学气相淀积是把含有构成薄膜元素的反应气体引入反应器并在晶圆表面发生化学反应从而在晶圆的表面生成所需的固态薄膜的工艺。化学气相淀积工艺具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易控、均匀性与重复性好、台阶覆盖好及操作方便等优点，所以被广泛应用于芯片制造过程中。不论是导体、半导体或是介电材料所需的薄膜材料，通常都可以用化学气相淀积工艺来制备，如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。为了提高生产效率，通常需要将多片晶圆放入反应器内并同时进行化学气相淀积。然而，由于反应器内各晶圆所处位置的温度和反应气体浓度存在差异，导致晶圆上淀积的薄膜厚度不一致，从而导致晶圆的电参数特性存在差异。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种化学气相淀积装置及其调节方法，能够减小反应器内各晶圆所处位置处反应气体的浓度差，以使同一批次的多片晶圆上淀积的薄膜一致性更好。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种化学气相淀积装置，包括...
【技术保护点】
1.一种化学气相淀积装置，其特征在于，包括反应器及多个进气管，所述进气管的进气端位于所述反应器外并连接一供气设备，出气端位于所述反应器内且能够伸长或缩短，至少两个所述进气管的出气端在竖直方向上位于所述反应器的不同位置处。/n
【技术特征摘要】
1.一种化学气相淀积装置，其特征在于，包括反应器及多个进气管，所述进气管的进气端位于所述反应器外并连接一供气设备，出气端位于所述反应器内且能够伸长或缩短，至少两个所述进气管的出气端在竖直方向上位于所述反应器的不同位置处。
2.如权利要求1所述的化学气相淀积装置，其特征在于，所述进气管上设置有气动阀。
3.如权利要求1所述的化学气相淀积装置，其特征在于，所述进气管上设置有流量计。
4.如权利要求1所述的化学气相淀积装置，其特征在于，所述进气管为可伸缩管。
5.如权利要求1所述的化学气相淀积装置，其特征在于，所述进气管的材质为石英套管。
6.如权利要求1所述的化学气相淀积装置，其特征在于，所述反应器内设置有多片晶圆，多片所述晶圆沿竖直方向堆叠，且相邻所述晶圆之间具有间隙。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂新星，祁鹏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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