一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及单质铜、钴、镍薄膜相关制备方法技术领域，且公开了一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法，所述方法包括氨基醇类和肼类，氨基醇类为金属前驱体，肼类为还原性前驱，利用热型原子层沉积技术即可沉积连续均匀的单质薄膜。本发明专利技术使用氨基醇类前驱体与肼类还原剂利用原子层沉积技术沉积单质铜、钴、镍薄膜，肼类物质廉价易得，是为数不多的液体，方便储存与运输，所沉积的单质薄膜均匀性优秀，台阶覆盖率，优于现有技术中所采用的等离子NH3、氢气等气体，可以达到更好的制备效果，更方便、更安全、更容易操作，既可以避免等离子氢气、等离子氨气等操作上的不便，又可简化单质薄膜的制备工艺，节约成本。

A method for the preparation of copper, cobalt and nickel films by thermal atomic layer deposition

【技术实现步骤摘要】
一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法
本专利技术涉及单质铜、钴、镍薄膜相关制备方法
，具体为一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法。
技术介绍
集成电路中随着互补金属氧化物半导体晶体管的尺寸不断缩小，单位面积中的晶体管数量急剧增加。使得使用材料的厚度降低至几个纳米数量级。镍薄膜具有电阻率低、连续、均匀等突出优点，传统的Ni薄膜都是采用物理气相沉积技术沉积一层镍金属。当器件尺寸持续缩小到16纳米及以下技术节点时，传统的PVD方法已不能满足需求，相比于物理气相沉积，化学气相沉积(CVD)与原子层沉积(ALD)将是进行薄膜金属或者金属化合物沉积最有应用前景的两种方法。CVD工艺是前驱体与反应物同时存在于反应腔室，在一定的反应条件下，发生于气相或者基底表面的沉积过程。严格说来，ALD属于CVD技术，与传统的CVD不同的是，该技术通过重复两个或多个半反应来实现薄膜一层一层的生长。ALD反应腔中每一个半反应的前驱体单独存在，各半反应之间用惰性气体进行吹洗，并且ALD中的各半反应周期内，前驱体与基底表面的反应是自限制的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法，其特征在于：所述方法包括氨基醇类和肼类，氨基醇类为金属前驱体，肼类为还原性前驱，利用热型原子层沉积技术即可沉积连续均匀的单质薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法，其特征在于：所述方法包括氨基醇类和肼类，氨基醇类为金属前驱体，肼类为还原性前驱，利用热型原子层沉积技术即可沉积连续均匀的单质薄膜。


2.根据权利要求1所述的一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法，其特征在于：所述氨基醇类金属前驱体如式1结构的化合物：



其中M为铜、钴、镍，其中R1、R2、R3、R4为C1-C10的烃链或者三甲基硅基，R1、R2、R3、R4四者相同或者不同。


3.根据权利要求1所述的一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法，其特征在于：所述肼类还原性前驱如式2结构的化合物：



其中，R5、R6、R7、R8为C1-C10的烃链或三甲基硅基中的一种，R5、R6、R7、R8四者相同或者不同。


4.根据权利要求1所述的一种利用热型原子层沉积技术制备单质铜、钴、镍薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
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【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：江苏迈纳德微纳技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32