【技术实现步骤摘要】
新型3DNAND存储器件及其形成方法本申请是申请日为2018年12月7日，申请号为201880002892.5(PCT/CN2018/119908)，专利技术名称为“新型3DNAND存储器件及其形成方法”的中国专利申请的分案申请。
技术介绍
集成电路中器件的特征尺寸收缩到了普通存储单元技术的极限，设计者已经在寻找用于堆叠多个平面的存储单元以实现更大存储容量并实现每比特更低成本的技术。3D-NAND存储器件是堆叠多个平面的存储器单元以实现更大存储容量并实现更低的每比特成本的示范性器件。3D-NAND技术向着高密度和高容量转移，尤其从64L到128L架构转移，垂直于衬底的垂直方向上字线层(或栅极控制层)的数量已经显著增加。字线层的数量增加导致3D-NAND存储器件的块尺寸显著增大，这又引起更长的读取和擦除时间、更长的数据传输时间和更低的存储效率。
技术实现思路
本专利技术的概念涉及具有划分的块结构的3D-NAND存储器件的形成以及基于划分的块结构执行部分块擦除的方法。相关3D-NAND存储器件可以包括多个存储单元块...
【技术保护点】
1.一种存储器件，包括：/n衬底；/n底部选择栅极，所述底部选择栅极设置于所述衬底上方；/n多条字线，所述多条字线位于所述底部选择栅极上方；/n多个绝缘层，所述多个绝缘层设置于所述衬底、所述底部选择栅极和所述多条字线之间；/n一个或多个第一电介质沟槽，所述一个或多个第一电介质沟槽形成于所述底部选择栅极中并且沿所述衬底的长度方向延伸，以将所述底部选择栅极分隔成多个子底部选择栅极；以及/n一个或多个公共源极区，所述一个或多个公共源极区形成于所述衬底上方并且沿所述衬底的长度方向延伸，其中所述一个或多个公共源极区延伸穿过所述底部选择栅极、所述多条字线和所述多个绝缘层。/n
【技术特征摘要】
1.一种存储器件，包括：
衬底；
底部选择栅极，所述底部选择栅极设置于所述衬底上方；
多条字线，所述多条字线位于所述底部选择栅极上方；
多个绝缘层，所述多个绝缘层设置于所述衬底、所述底部选择栅极和所述多条字线之间；
一个或多个第一电介质沟槽，所述一个或多个第一电介质沟槽形成于所述底部选择栅极中并且沿所述衬底的长度方向延伸，以将所述底部选择栅极分隔成多个子底部选择栅极；以及
一个或多个公共源极区，所述一个或多个公共源极区形成于所述衬底上方并且沿所述衬底的长度方向延伸，其中所述一个或多个公共源极区延伸穿过所述底部选择栅极、所述多条字线和所述多个绝缘层。
2.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：
顶部选择栅极，所述顶部选择栅极位于所述多条字线上方，所述顶部选择栅极和所述多条字线由所述多个绝缘层间隔开；以及
一个或多个第二电介质沟槽，所述一个或多个第二电介质沟槽形成于所述顶部选择栅极中并且沿所述衬底的长度方向延伸，以将所述顶部选择栅极分隔成多个子顶部选择栅极。
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述第一电介质沟槽和所述第二电介质沟槽在所述衬底的宽度方向上彼此对准。
4.根据权利要求2所述的存储器件，其中所述一个或多个公共源极区还穿过所述顶部选择栅极，并且所述一个或多个公共源极区、所述第一电介质沟槽和所述第二电介质沟槽在所述衬底的长度方向上彼此平行地延伸。
5.根据权利要求2所述的存储器件，还包括：
多个沟道结构，所述多个沟道结构沿垂直于所述衬底的所述衬底的高度方向形成于所述衬底上方，其中所述多个沟道结构中的每一个穿过所述底部选择栅极、所述多条字线、所述顶部选择栅极和所述多个绝缘层。
6.根据权利要求1所述的存储器件，还包括：
多个伪沟道结构，所述多个伪沟道结构沿垂直于所述衬底的高度方向形成，所述多个伪沟道结构穿过所述底部选择栅极、所述多条字线和所述多个绝缘层，以延伸到所述衬底中。
7.根据权利要求5所述的存储器件，还包括多个存储单元子块，每个所述存储单元子块包括多个相应的沟道结构，所述沟道结构连接到同一子底部选择栅极和同一子顶部选择栅极，每个所述存储单元子块被单独操作。
8.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述一个或多个第一电介质沟槽以及所述一个或多个公共源极区交替设置于所述衬底的宽度方向上。
9.根据权利要求5所述的存储器件，其中所述一个或多个第二电介质沟槽以及所述一个或多个公共源极区交替设置于所述衬底的宽度方向上，使得在所述一个或多个第二电介质沟槽以及所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋雅丽，肖莉红，王明，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。