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提供了一种3D‑NAND存储器件及其形成方法。该存储器件包括衬底、设置于衬底上方的底部选择栅极(BSG)、位于BSG上方并且具有阶梯配置的多条字线，以及设置于衬底、BSG和多条字线之间的多个绝缘层。在公开的存储器件中，一个或多个第一电介质沟...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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