一种三维堆叠存储芯片结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开一种三维堆叠存储芯片结构，包括第一叠加芯片模块；与所述第一叠加芯片模块电连接的重布线层；贴装于重布线层表面的第二叠加芯片模块；以及与所述重布线层及所述第二叠加芯片模块电连接的外接焊球。其中，芯片叠加模块包括错位粘接的两个芯片、包覆芯片的塑封层以及贯穿塑封层，与芯片焊盘电连接的导电通道。

A three-dimensional stacked memory chip structure and its packaging method

【技术实现步骤摘要】
一种三维堆叠存储芯片结构及其封装方法
本专利技术涉及半导体集成电路封装
，特别涉及一种三维堆叠存储芯片的封装技术。
技术介绍
随着半导体集成电路行业技术的迅猛发展，电子封装产品有着高密度、多功能的发展趋势。三维堆叠封装是指将至少两层芯片堆叠设置并进行封装，因此其可以在更小的空间内集成更多的半导体芯片。采用三维堆叠的方式封装存储芯片，可以在较小的体积里实现更大的存储量。但是现有的工艺技术制作方法复杂、成本较高，同时加工过程中容易产生翘曲或芯片破碎等问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中的全部或部分问题，本专利技术一方面提供一种三维堆叠存储芯片结构，包括：第一叠加芯片模块；重布线层，所述重布线层与所述第一叠加芯片模块电连接；第二叠加芯片模块，所述第二叠加芯片模块位于所述重布线层表面；以及外接焊球，所述外接焊球与所述重布线层及所述第二叠加芯片模块电连接。进一步地，所述第一叠加芯片模块包括：第一芯片；第二芯片，所述第二芯片错位粘贴于所述第一芯片表面；第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维堆叠存储芯片结构，其特征在于，包括：/n第一叠加芯片模块；/n重布线层，所述重布线层与所述第一叠加芯片模块电连接；/n第二叠加芯片模块，所述第二叠加芯片模块位于所述重布线层表面；以及/n外接焊球，所述外接焊球与所述重布线层及所述第二叠加芯片模块电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维堆叠存储芯片结构，其特征在于，包括：
第一叠加芯片模块；
重布线层，所述重布线层与所述第一叠加芯片模块电连接；
第二叠加芯片模块，所述第二叠加芯片模块位于所述重布线层表面；以及
外接焊球，所述外接焊球与所述重布线层及所述第二叠加芯片模块电连接。


2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一叠加芯片模块包括：
第一芯片；
第二芯片，所述第二芯片的背面粘贴于所述第一芯片焊盘面；
第一导电通道，所述第一导电通道与所述第一芯片及所述重布线层电连接；
第二导电通道，所述第二导电通道与所述第二芯片及所述重布线层电连接；以及
第一塑封层，所述第一塑封层包覆所述第一芯片、第二芯片、第一导电通道及第二导电通道。


3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第二叠加芯片模块包括：
第三芯片；
第四芯片，所述第四芯片的背面粘贴于所述第三芯片的焊盘面；
第三导电通道，所述第三导电通道与所述第三芯片电连接；
第四导电通道，所述第四导电通道与所述第四芯片电连接；以及
第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第三芯片、第四芯片、第三导电通道及第四导电通道。


4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述重布线层实现对所述第一叠加芯片模块的扇出互连。


5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述外接焊球通过第五导电通道与所述重布线层电连接。


6.如权利要求2所述的结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚大平，
申请(专利权)人：江苏中科智芯集成科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32