【技术实现步骤摘要】
MTP器件的制造方法及MTP器件
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种MTP器件的制造方法及MTP器件。
技术介绍
MTP器件(可多次编程非易失性存储器件)是一种可重复使用的器件，允许用户对其进行多次编程、擦除、修改或设计。参考图1，图1是现有技术中的MTP器件示意图，从图1可以看出，MTP通常分为编程区1以及擦除区2，MTP器件通常包括：衬底10、位于所述衬底上的栅氧化层20以及位于所述栅氧化层20上的浮栅层30，所述衬底10中形成有浅沟槽隔离结构11，所述衬底10通常包括编程区衬底101和擦除区衬底102。所述编程区衬底101中通常形成有第一阱区12(例如N阱)；所述擦除区衬底102中从下至上一般依次形成有第二阱区13(例如P阱)、缓冲区14以及轻掺杂漏注入区15，其中，所述轻掺杂漏注入区15与所述第二阱区13的界面位置形成一PN结。利用福勒-诺德海姆隧穿(FN)机制对所述MTP器件进行擦除是经由在MTP器件的所述擦除区2中通过所述栅氧化层20的FN来实现的，向MTP器件的所述擦除区2施加电压，同时维持...
【技术保护点】
1.一种MTP器件的制造方法，所述MTP器件具有编程区和擦除区，其特征在于，MTP器件的制造方法包括：/n提供一衬底，所述衬底上形成有牺牲氧化层，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，其中，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底；/n形成第一光刻胶图案层，并以所述第一光刻胶图案层为掩膜对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区；/n形成第二光刻胶图案层，并以所述第二光刻胶图案层为掩膜对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；/n去除所述牺牲氧化层，并形成栅氧化层，其中，所述栅氧化层覆盖所述编程区衬底和所述擦除区衬底；/n形成浮栅层，所述...
【技术特征摘要】
1.一种MTP器件的制造方法，所述MTP器件具有编程区和擦除区，其特征在于，MTP器件的制造方法包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有牺牲氧化层，所述衬底中形成有浅沟槽隔离结构，其中，所述衬底包括编程区衬底和擦除区衬底；
形成第一光刻胶图案层，并以所述第一光刻胶图案层为掩膜对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区；
形成第二光刻胶图案层，并以所述第二光刻胶图案层为掩膜对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；
去除所述牺牲氧化层，并形成栅氧化层，其中，所述栅氧化层覆盖所述编程区衬底和所述擦除区衬底；
形成浮栅层，所述浮栅层覆盖所述编程区衬底上的部分所述栅氧化层以及所述擦除区衬底上的部分所述栅氧化层；以及，
对所述离子漂移区进行轻掺杂漏第一离子注入以在靠近所述栅氧化层的所述擦除区衬底中形成浅结，其中，与编程区衬底相邻的并且位于所述擦除区衬底中的浅沟槽隔离结构在宽度上的尺寸小于或者等于0.6μm，所述MTP器件在宽度上的尺寸小于或者等于3.24μm。
2.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，在对所述擦除区衬底进行第二离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区中，所述第二离子的导电类型为P型。
3.根据权利要求2所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，对所述擦除区衬底进行硼离子掺杂注入以在所述擦除区衬底中形成离子漂移区，其中，硼离子注入剂量介于3E12ions/cm-2～8E12ions/cm-2；注入能量介于70kev～80kev。
4.根据权利要求3所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，在对所述编程区衬底进行第一离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区以及对所述离子漂移区进行轻掺杂漏第一离子注入以在所述擦除区衬底中形成浅结中，所述第一离子的导电类型为N型。
5.根据权利要求4所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，对所述编程区衬底进行磷离子注入以在所述编程区衬底中形成阱区，其中，磷离子注入剂量介于1E13ions/cm-2～5E13ions/cm-2；注入能量介于...
【专利技术属性】
技术研发人员：令海阳，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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