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本发明提供了一种MTP器件的制造方法，包括：首先形成一包括编程区衬底和擦除区衬底的衬底；在所述编程区衬底中形成阱区；在所述擦除区衬底中形成离子漂移区；在所述衬底上依次形成栅氧化层及浮栅层；对所述离子漂移区进行轻掺杂漏注入以形成浅结。进一步的...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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