【技术实现步骤摘要】
半导体器件和用于形成半导体器件的方法本申请是于2016年6月30日向中国国家专利局提出、申请号为201610507479.7、优先权日为2015年6月30日、专利技术名称为“半导体器件和用于形成半导体器件的方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。
各个实施例涉及针对用于半导体器件的边缘终止结构的概念，并且具体涉及半导体器件和用于形成半导体器件的方法。
技术介绍
在许多应用中，功率晶体管以反向模式(reversemode)(例如，半桥布置)进行操作。结合这种情况，体二极管可以变成正向操作，并且p型本体区和n型衬底(在n沟道MOS中的金属氧化物半导体)将电子和空穴作为离子注入到漂移区(zone)。由于边缘区域的体积很大，因此，特别是在该边缘区域处就可能存储了许多等离子体(plasma)，这些等离子体在施加阻断电压(换流(commutating))的期间被耗尽。例如，来自边缘区域的所有的空穴必须通过最外面的源极/体接触点流出，而电子则能够流出至所提供的大面积的衬底。结果，在边缘区域处可能会达到非常高的空穴电流密度和非常高的...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n竖直电气元件布置，使得电流能够在所述半导体器件的半导体衬底的前侧和后侧之间流动；以及；/n不可耗尽的掺杂区，从所述半导体衬底的单元区的边缘朝向所述半导体衬底的边缘横向延伸，其中所述不可耗尽的掺杂区包括在阻断操作期间由施加至所述半导体器件的电压不可耗尽的掺杂，/n其中所述不可耗尽的掺杂区包括第一导电类型，/n其中所述不可耗尽的掺杂区包括在靠近所述单元区的区域处的最大掺杂浓度，以及在距所述半导体衬底与所述单元区之内的所述竖直电气元件布置的导电接触结构之间的最接近的接触区域的横向距离大于20μm处的、在距所述半导体衬底与所述单元区之内的所述竖直电气元...
【技术特征摘要】
20150630 DE 102015110484.91.一种半导体器件，包括：
竖直电气元件布置，使得电流能够在所述半导体器件的半导体衬底的前侧和后侧之间流动；以及；
不可耗尽的掺杂区，从所述半导体衬底的单元区的边缘朝向所述半导体衬底的边缘横向延伸，其中所述不可耗尽的掺杂区包括在阻断操作期间由施加至所述半导体器件的电压不可耗尽的掺杂，
其中所述不可耗尽的掺杂区包括第一导电类型，
其中所述不可耗尽的掺杂区包括在靠近所述单元区的区域处的最大掺杂浓度，以及在距所述半导体衬底与所述单元区之内的所述竖直电气元件布置的导电接触结构之间的最接近的接触区域的横向距离大于20μm处的、在距所述半导体衬底与所述单元区之内的所述竖直电气元件布置的所述导电接触结构之间的最接近的接触区域的横向距离大于所述竖直电气元件布置的漂移区的深度处的、或在被定位成比由最低的导电层所实现的栅场板更靠近所述半导体衬底的所述边缘的位置处的较低掺杂浓度，所述较低掺杂浓度是所述不可耗尽的掺杂区的所述最大掺杂浓度的至少10％。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述不可耗尽的掺杂区围绕所述单元区。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述不可耗尽的掺杂区位于所述半导体器件的场氧化物边缘的下方。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述场氧化物边缘位于所述单元区的所述边缘。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括至少部分地位于所述不可耗尽的掺杂区外部的栅极焊盘。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述不可耗尽的掺杂区在邻近所述栅极焊盘的所述不可耗尽的掺杂区的角部区处具有较高的掺杂。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述不可耗尽的掺杂区沿着与所述栅极焊盘的边界具有大致均匀的宽度。
8.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括栅极焊盘，其中所述不可耗尽的掺杂区到达所述栅极焊盘的下方。
9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述不可耗尽的掺杂区具有大致均匀的宽度。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述不可耗尽的掺杂区在所述不可耗尽的掺杂区的角部区处具有较高的掺杂。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述不可耗尽的...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·希尔勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT
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