用于认知器件的高电阻读出FET制造技术

一种半导体器件包括形成在晶体管结构中的源极区和漏极区。沟道区设置在源极区和漏极区之间。在沟道区上形成包覆层，该包覆层包括半导体材料。在包覆层上形成栅极结构的栅极电介质。

High resistance readout FET for cognitive devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于认知器件的高电阻读出FET
本专利技术一般涉及场效应晶体管(FET)，更具体地说，涉及用于认知器件电路的具有高电阻读出的垂直设置的FET。
技术介绍
认知器件电路可以包括神经网络或其他机器学习设备结构。典型的晶体管操作优选较高电流以减少信号延迟。然而，较高电流晶体管器件可能不适合于许多认知器件电路，认知器件电路可能需要较低电流规格以用于适当操作。因此，在本领域中需要解决上述问题。
技术实现思路
从第一方面来看，本专利技术提供了一种半导体器件，包括：形成在晶体管结构中的源极区和漏极区；沟道区，设置在源极区与漏极区之间；形成在沟道区上的包覆层(claddinglayer)，包覆层包括半导体材料；以及形成在包覆层上的栅极结构的栅极电介质。从另一方面来看，本专利技术提供了一种半导体装置，包括：衬底；形成在衬底上的交叉开关栅格，该交叉开关栅格包括第一线和横向于所述第一线形成的第二线；形成在交叉开关栅格的第一和第二线的交叉处的晶体管，所述晶体管包括具有比正常(normal)晶体管低的沟道电流的低电流晶体管，所述低电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n形成在晶体管结构中的源极区和漏极区；/n沟道区，设置在所述源极区与所述漏极区之间；/n形成在所述沟道区上的包覆层，所述包覆层包括半导体材料；以及/n形成在所述包覆层上的栅极结构的栅极电介质。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171026 US 15/794,1951.一种半导体器件，包括：
形成在晶体管结构中的源极区和漏极区；
沟道区，设置在所述源极区与所述漏极区之间；
形成在所述沟道区上的包覆层，所述包覆层包括半导体材料；以及
形成在所述包覆层上的栅极结构的栅极电介质。


2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述包覆层包括掺杂材料，所述掺杂材料包括与所述源极区和所述漏极区的掺杂剂导电性相反的掺杂剂导电性。


3.如前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述包覆层包括掺杂材料，所述掺杂材料包括在约5×1018至约5×1019原子/cm3之间的掺杂剂浓度。


4.如前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述包覆层包括在约2nm至约15nm之间的厚度。


5.如前述权利要求中任一项所述的半导体器件，还包括形成在所述包覆层中的散射中心。


6.如前述权利要求中任一项所述的半导体器件，还包括形成在所述栅极结构的侧壁上的间隔物，所述间隔物覆盖所述包覆层的横向侧。


7.如前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括低电流器件，所述低电流器件具有比形成在所述半导体器件上的正常器件低的沟道电流。


8.一种半导体装置，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的交叉开关栅格，所述交叉开关栅格包括第一线和横向于所述第一线形成的第二线；
形成在所述交叉开关栅格的第一和第二线的交叉处的晶体管，所述晶体管包括具有比正常晶体管低的沟道电流的低电流晶体管，所述低电流晶体管包括权利要求1至7中任一项所述的半导体器件。


9.一种用于形成半导体器件的方法，包括：
在低电流器件区域中的晶体管结构上形成掺杂的包覆层；
在所述低电流器件区中的所述包覆层之上以及在正常器件区中的晶体管结构上形成栅极结构；
选择性地蚀刻所述包覆层以使所述包覆层横向凹陷到低于所述栅极电介质，从而在所述低电流器件区中形成用于低电流器件的凹陷；
形成填充所述低电流器件中的所述凹陷的间隔物；以及
在所述栅极结构的相对侧上形成源极区和漏极区，以在所述低电流器...

【专利技术属性】
技术研发人员：E莱奥班邓格，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US