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一种半导体器件包括形成在晶体管结构中的源极区和漏极区。沟道区设置在源极区和漏极区之间。在沟道区上形成包覆层，该包覆层包括半导体材料。在包覆层上形成栅极结构的栅极电介质。...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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