【技术实现步骤摘要】
NLDMOS器件及工艺方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种NLDMOS器件。本专利技术还涉及所述NLDMOS器件的工艺方法。
技术介绍
700VLDMOS既具有分立器件高压大电流特点，又吸取了低压集成电路高密度智能逻辑控制的优点，单芯片实现原来多个芯片才能完成的功能，大大缩小了面积，降低了成本，提高了能效，符合现代电力电子器件小型化、智能化、低能耗的发展方向。击穿电压和导通电阻是衡量700V器件的关键参数。横向SJ(superjunction超级结)采用可以改善它的关键性能。常见的700VNLDMOS器件结构如图1所示，在P型衬底101上具有第一及第二N型深阱，第一N型深阱102作为漂移区，其上具有场氧；P型衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极，位于所述两N型深阱之间并覆盖部分第二N型深阱；所述第一深阱中含有NLDMOS器件的漏区，位于场氧远离多晶硅栅极的末端；靠漏区的场氧上具有漏区场板。所述第二N型深阱中含有P阱104，P阱中具有所述NLDMOS器件的源区108b，以及重掺杂P型区109，重...
【技术保护点】
1.一种NLDMOS器件，其特征在于：在第一导电类型的衬底上具有第一及第二深阱，所述第一深阱作为漂移区，其上具有场氧；/n所述第一导电类型的衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极，位于所述两个深阱之间并覆盖部分第二深阱；所述第一深阱中含有NLDMOS器件的漏区，位于场氧远离多晶硅栅极的末端；/n所述场氧位于衬底表面，其左侧与所述第二深阱的右侧对齐，另一侧覆盖在第一深阱上方且延伸到位于其右侧的重掺杂的第二导电类型注入区；/n所述第二深阱中含有第一导电类型的第三阱，第三阱中具有重掺杂的第二导电类型注入区以及重掺杂的第一导电类型注入区；所述重掺杂的第二导电类型注入区分别作为所述NLDM...
【技术特征摘要】
1.一种NLDMOS器件，其特征在于：在第一导电类型的衬底上具有第一及第二深阱，所述第一深阱作为漂移区，其上具有场氧；
所述第一导电类型的衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极，位于所述两个深阱之间并覆盖部分第二深阱；所述第一深阱中含有NLDMOS器件的漏区，位于场氧远离多晶硅栅极的末端；
所述场氧位于衬底表面，其左侧与所述第二深阱的右侧对齐，另一侧覆盖在第一深阱上方且延伸到位于其右侧的重掺杂的第二导电类型注入区；
所述第二深阱中含有第一导电类型的第三阱，第三阱中具有重掺杂的第二导电类型注入区以及重掺杂的第一导电类型注入区；所述重掺杂的第二导电类型注入区分别作为所述NLDMOS器件的源区及漏区，所述重掺杂的第一导电类型注入区作为所述第三阱的引出端；
所述第三阱及第一深阱中还具有第一导电类型的掺杂注入层；所述第一导电类型的掺杂注入层为水平注入薄层，在第一深阱及第三阱中横向分布；
所述衬底表面具有层间介质，金属引线通过接触孔将NLDMOS器件的源区及漏区引出；所述第一深阱上方的场氧表面还具有漏区场板；
所述多晶硅栅极上方的层间介质上还具有金属场板，所述金属场板的向下的投影位于多晶硅栅极的范围之内。
2.如权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述的第一深阱上方的漂移区场板还通过接触孔及金属连接到所述NLDMOS器件的漏区。
3.如权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述重掺杂的第一导电类型注入区以及重掺杂的第二导电类型注入区通过接触孔及金属短接在一起，并连接到位于层间介质上的金属层上。
4.如权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于：所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
5.制造如权利要求1所述的NLDMOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：
步骤一，在第一导电类型的衬底上通过离子注入形成彼此独立的第一及第二深阱；
步骤二，利用有源区光刻，打开场氧区域，刻蚀场氧区，生长场氧；
步骤三，光刻打开阱注入区域，离子注入形成第一导电类型的第三阱；
步骤四，在第三阱中以及第一深阱中分别进行第一导电类型的离子注入，形成第一导电类型的掺杂注入层；
步骤五，形成栅氧化层，淀积多晶硅并回刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘冬华，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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