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本发明公开了一种NLDMOS器件，在第一导电类型的衬底上具有第一及第二深阱，所述第一深阱上具有场氧。所述第一导电类型的衬底表面具有栅氧化层及多晶硅栅极，所述第一深阱中含有NLDMOS器件的漏区，所述第二深阱中含有第一导电类型的第三阱，第三阱...
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