半导体配置的形成方法技术

一种半导体配置的形成方法，包括形成鳍片。执行扩散制程将第一掺质扩散至鳍片的通道区中。在第一掺质扩散至鳍片的通道区中之后，形成第一栅极电极于鳍片的通道区上。

Forming method of semiconductor configuration

【技术实现步骤摘要】
半导体配置的形成方法
本公开实施例涉及到半导体技术，特别是涉及一种半导体配置的形成方法。
技术介绍
随着半导体工业已进展至纳米技术制程节点(processnode)，以追求更高的装置密度、更高的效能、以及更低的成本，来自制造和设计问题的考验促成了三维设计的发展，例如全绕式栅极(gate-all-around,GAA)晶体管。全绕式栅极晶体管包括一或多个纳米片(nano-sheet)或纳米线(nano-wire)通道区，其具有栅极环绕此纳米片或纳米线。全绕式栅极晶体管可减少短通道效应(shortchanneleffect)。
技术实现思路
本公开实施例提供一种半导体配置的形成方法，包括：形成第一鳍片于半导体层上；形成第一牺牲栅极结构于此第一鳍片的第一部分上；形成第一侧壁间隔物，邻近此第一牺牲栅极结构；移除此第一牺牲栅极结构，以形成由此第一侧壁间隔物所定义的第一栅极空腔；执行第一扩散制程以形成包括第一掺质的第一掺杂区，其位于暴露在此第一栅极空腔中的此第一鳍片的第二部分中；以及形成第一栅极结构于此第一掺杂区上的此第一栅极空腔中。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体配置的形成方法，包括：/n形成一第一鳍片于一半导体层上；/n形成一第一牺牲栅极结构于该第一鳍片的一第一部分上；/n形成一第一侧壁间隔物，邻近该第一牺牲栅极结构；/n移除该第一牺牲栅极结构，以形成由该第一侧壁间隔物所定义的一第一栅极空腔；/n执行一第一扩散制程以形成包括一第一掺质的一第一掺杂区，其位于暴露在该第一栅极空腔中的该第一鳍片的一第二部分中；以及/n形成一第一栅极结构于该第一掺杂区上的该第一栅极空腔中。/n

【技术特征摘要】
20181130 US 62/773,301;20190606 US 16/433,3761.一种半导体配置的形成方法，包括：
形成一第一鳍片于一半导体层上；
形成一第一牺牲栅极结构于该第一鳍片的一第一部分上；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张毅敏，程仲良，张翔笔，曹学文，方子韦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71