一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备技术

本发明专利技术公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备，涉及半导体器件技术领域，用以抑制环栅晶体管漏电问题的产生。该半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成立体沟道结构、源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构均与立体沟道结构连接；立体沟道结构采用离子扩散方式或原位掺杂方式形成；在立体沟道结构上形成栅极结构，获得环栅晶体管。本发明专利技术提供的半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备用于半导体器件及集成电路的制作。

A semiconductor device and its manufacturing method, integrated circuit and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备。
技术介绍
环栅晶体管是通过控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。环栅晶体管由于具有较好的沟道静电完整性、漏电流控制和载流子一维弹道输运等优点被广泛应用于集成电路中。但是，随着环栅晶体管栅极结构长度的不断减小，环栅晶体管的源极结构和漏极结构的漏电问题日益严重，从而影响半导体器件的性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备，用以抑制环栅晶体管漏电问题的产生，保证半导体器件的性能。为了实现上述目的，本专利技术提供一种半导体器件的制作方法。该半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成立体沟道结构、源极结构和漏极结构，所述源极结构和所述漏极结构均与所述立体沟道结构连接；所述立体沟道结构采用离子扩散方式或原位掺杂方式形成；在所述立体沟道结构上形成栅极结构，获得环栅晶体管。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底；/n在所述衬底上形成立体沟道结构、源极结构和漏极结构，所述源极结构和所述漏极结构均与所述立体沟道结构连接；所述立体沟道结构采用离子扩散方式或原位掺杂方式形成；/n在所述立体沟道结构上形成栅极结构，获得环栅晶体管。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成立体沟道结构、源极结构和漏极结构，所述源极结构和所述漏极结构均与所述立体沟道结构连接；所述立体沟道结构采用离子扩散方式或原位掺杂方式形成；
在所述立体沟道结构上形成栅极结构，获得环栅晶体管。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述立体沟道结构采用热扩散方式形成。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述环栅晶体管为鳍状晶体管或全环栅晶体管。


4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成立体沟道结构、源极结构和漏极结构包括：
在所述衬底上交替形成第一半导体材料层和第二半导体材料层获得半导体叠层结构；所述半导体叠层结构具有沟道形成区、源极形成区和漏极形成区；所述第二半导体材料层为离子扩散方式形成的掺杂半导体材料层或者所述第二半导体材料层为原位掺杂方式形成的掺杂半导体材料层；
对所述源极形成区进行处理形成所述源极结构，对所述漏极形成区进行处理形成所述漏极结构；
去除每层所述第一半导体材料层位于所述沟道形成区的部分，形成所述立体沟道结构。


5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，当所述第二半导体材料层为原位掺杂方式形成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾杰，张青竹，张兆浩，殷华湘，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11