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本发明公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路和电子设备，涉及半导体器件技术领域，用以抑制环栅晶体管漏电问题的产生。该半导体器件的制作方法包括：提供一衬底；在衬底上形成立体沟道结构、源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构均与立体沟道结构连接...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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