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半导体配置的形成方法技术
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文档序号:24463266
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一种半导体配置的形成方法,包括形成鳍片。执行扩散制程将第一掺质扩散至鳍片的通道区中。在第一掺质扩散至鳍片的通道区中之后,形成第一栅极电极于鳍片的通道区上。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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