一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法技术

本发明专利技术公开了一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法。该方法包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜；(2)经过表面清洗，将衬底晶圆放入酸腐蚀机的酸液中进行一次表面腐蚀，去除部分正表面损伤层；(3)经过表面清洗，进入去膜机去除掩蔽蓝膜；(4)再次经过表面清洗，清洗后的衬底晶圆再次进入酸腐蚀机的酸液中进行二次表面腐蚀，去除正表面损伤层和部分背表面损伤层；(5)再次经过表面清洗后，衬底晶圆腐蚀加工完成。该方法能够降低腐蚀片正表面损伤层深度，大大降低抛光加工去除量，同时使腐蚀片背表面保留吸杂作用，提高了抛光加工效率，简化了加工流程，提高了产品质量，降低了生产成本。

A kind of acid etching processing method of large diameter substrate wafer for single side polishing

【技术实现步骤摘要】
一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法
本专利技术涉及一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法，这种方法特别适用于半导体6、8英寸单面抛光工艺衬底材料制备的腐蚀工序，属于半导体材料

技术介绍
为满足集成电路工艺与技术要求，需要将质量合格的单晶棒加工成不同规格要求的抛光晶圆。整个抛光晶圆的制备过程比较复杂，加工工序多，生产周期长。通常有切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光等几个主要加工工序。切片加工是将单晶晶棒切割成一定厚度的薄晶片，目前广泛采用线切割方式，切割过程中使用钢线携带碳化硅砂浆，钢线带着砂粒在单晶棒表面进行往复式研磨式切割，切割的同时控制钢线在晶棒中的位置，直到将整根单晶棒切开。经过切割后的晶圆边缘表面粗糙或是存在缺陷，为增加边缘表面机械强度、减少边缘沾污需要对晶片边缘进行倒角加工，使用精细的砂轮磨削晶片边缘。由于切割后的晶片表面存在表面损伤，因此需要对晶片进行双面研磨加工处理，经过双面研磨加工后晶圆厚度、整体厚度差及损伤层厚度都会大大改善。晶片经过切割、研磨等机械加工后，由于表面机械加工残留的固有应力本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)在衬底晶圆背表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜；/n(2)经过表面清洗，将衬底晶圆放入酸腐蚀机的酸液中进行一次表面腐蚀，去除部分正表面损伤层；/n(3)经过表面清洗，进入去膜机去除掩蔽蓝膜；/n(4)再次经过表面清洗，清洗后的衬底晶圆再次进入酸腐蚀机的酸液中进行二次表面腐蚀，去除正表面损伤层和部分背表面损伤层；经过两次酸腐蚀后，衬底晶圆两表面腐蚀去除量不对称，其中背表面去除量为5-20微米，正表面去除量为15-40微米。/n(5)再次经过表面清洗后，衬底晶圆腐蚀加工完成。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于单面抛光的大直径衬底晶圆的酸腐蚀加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在衬底晶圆背表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜；
(2)经过表面清洗，将衬底晶圆放入酸腐蚀机的酸液中进行一次表面腐蚀，去除部分正表面损伤层；
(3)经过表面清洗，进入去膜机去除掩蔽蓝膜；
(4)再次经过表面清洗，清洗后的衬底晶圆再次进入酸腐蚀机的酸液中进行二次表面腐蚀，去除正表面损伤层和部分背表面损伤层；经过两次酸腐蚀后，衬底晶圆两表面腐蚀去除量不对称，其中背表面去除量为5-20微米，正表面去除量为15-40微米。
(5)再次经过表面清洗后，衬底晶圆腐蚀加工完成。


2.根据权利要求1所述的酸腐蚀加工方法，其特征在于，所述掩蔽蓝膜直径与衬底晶圆直径相同，参考面设置与衬底晶圆相同。


3.根据权利要求1所述的酸腐蚀加工方法，其特征在于，所述酸液为硝酸、氢氟酸和冰醋酸的混合酸，其中硝酸与氢氟酸的体积比为2-8.3，冰醋酸与氢氟酸的体积比为0.9-3。


4.根据权利要求1所述的酸腐蚀加工方法，其特征在于，在所述步骤(2)和所述步骤(4)的腐蚀过程中，酸液循环的流量为50-300L/min；酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：边永智，宁永铎，钟耕杭，程凤伶，郑宇，张亮，徐继平，卢立延，
申请(专利权)人：有研半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11