【技术实现步骤摘要】
一种纳米薄膜材料
本专利技术属于半导体薄膜材料领域，涉及一种通过固相反应法制备纳米薄膜材料。
技术介绍
由于具有独特的结构和性能，石墨烯和其他二维材料包括六方相氮化硼和过渡金属硫化物等，引起了广泛的关注。尤其通过化学气相沉积等方法可以在特定基底上制备出高质量、大面积的二维薄膜，这显著加快了二维材料的应用发展。受层状结构二维材料的启发，可以预见非层状结构材料的纳米薄膜与传统平面工艺相兼容，相比于他维度，更有利于其应用。而且，与纳米晶构成的薄膜相比，所制备出的具有大尺寸晶粒的非层状结构纳米薄膜拥有更优越的性能，这是因为晶界会引起电子的散射。层状结构材料在层内有较强的横向化学键，而在层之间有较弱的范德华力，这在形核和生长过程中，使得原子更容易生长成二维薄膜。而非层状结构的材料是在三个方向上都具有很强的原子键，从而使其缺乏内在各向异性生长驱动力，造成非层状结构纳米薄膜的生长很难实现。非层状结构材料的二维超薄纳米片和非层状结构纳米薄膜已经分别通过湿化学模板法和剥离的方法制备出来，但是尺寸分别仅限制在几百纳米和几微米之内。大面积非层状结...
【技术保护点】
1.一种纳米薄膜材料，其特征在于，包括以下步骤：(1)NiSe纳米薄膜的制备：选择厚度为50μm、纯度为99.99％的Ni箔在通有10sccmH2和20sccmAr的低压气氛中，450-550℃退火25-35min，去除Ni箔表面的氧化物；退火完之后，利用电子束蒸发的方法在Ni箔表面沉积ZnSe薄膜，在整个沉积过程中，真空度保持在1×10-4-3×10-4Pa；随后将ZnSe/Ni箔在1.5×10-4-2.5×10-4Pa的真空度下650-750℃退火25-35min，得到NiSe纳米膜；(2)NiSe纳米薄膜的转移：在50μm厚的Ni箔表面得到的NiSe纳米薄膜上旋涂浓度...
【技术特征摘要】
1.一种纳米薄膜材料，其特征在于，包括以下步骤：(1)NiSe纳米薄膜的制备：选择厚度为50μm、纯度为99.99％的Ni箔在通有10sccmH2和20sccmAr的低压气氛中，450-550℃退火25-35min，去除Ni箔表面的氧化物；退火完之后，利用电子束蒸发的方法在Ni箔表面沉积ZnSe薄膜，在整...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈莉芳，
申请(专利权)人：余姚市晶鹏光伏发电有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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