半导体装置以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，提供一种即使在衬底更加薄型化的情况下也可形成吸杂层的半导体装置的制造方法以及形成有吸杂层的半导体装置。本发明专利技术为层叠了多个衬底的半导体装置(1)的制造方法，具有：对第一衬底层叠第二衬底的工序；对第二衬底的面之中形成有器件层的面的相反的面进行抛光的工序；以及向被抛光的第二衬底的面照射包含有助于吸杂的构成元素的团簇离子从而构成吸杂层的工序，吸杂层包含团簇离子的构成元素。

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，已知由于重金属等污染物质侵入半导体装置的硅衬底中而对半导体装置的半导体元件产生影响。因此，在硅衬底的背面(形成有半导体元件的面的相反的面)附近形成被称作吸杂层(getteringlayer)的层。吸杂层能够捕获重金属元素。由此，吸杂层能够抑制污染物质向硅衬底中的侵入。近年来，推进着半导体装置的小型化，与此相伴也实现了硅衬底的薄型化。因此，提出了即使是薄型化了的硅衬底也可形成吸杂层的半导体装置的制造方法(例如参考专利文献1和非专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-317805号公报。非专利文献非专利文献1：“ImpactofBacksideCuContaminationinthe3DintegrationProcess”(2009SymposiumonVLSITechnologyDigestofTechnicalPapers，172页-173页)。...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置层叠了多个衬底，具有：/n对第一衬底层叠第二衬底的工序；/n对所述第二衬底的面之中形成有器件层的面的相反的面进行抛光的工序；以及/n向被抛光了的所述第二衬底的面照射包含有助于吸杂的构成元素的团簇离子从而构成吸杂层的工序，所述吸杂层包含团簇离子的构成元素。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置层叠了多个衬底，具有：
对第一衬底层叠第二衬底的工序；
对所述第二衬底的面之中形成有器件层的面的相反的面进行抛光的工序；以及
向被抛光了的所述第二衬底的面照射包含有助于吸杂的构成元素的团簇离子从而构成吸杂层的工序，所述吸杂层包含团簇离子的构成元素。


2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在对所述第一衬底层叠所述第二衬底的工序中，所述第二衬底的面之中形成有器件层的面相对于所述第一衬底相向配置。


3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，
在对所述第一衬底层叠所述第二衬底的工序中，所述第二衬底的面之中形成有器件层的面的相反的面相对于所述第一衬底相向配置。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
在构成所述吸杂层的工序中，所述吸杂层被构成在所述第二衬底的面的一部分区域。


5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，
构成所述吸杂层的工序具有：
在所述第二衬底的面上形成抗蚀剂的工序；
向所述第二衬底的面和所述抗蚀剂照射团簇离子的工序；以及
除去所述抗蚀剂的工序。


6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林平治，增田隆俊，
申请(专利权)人：超极存储器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP