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本发明的目的在于，提供一种即使在衬底更加薄型化的情况下也可形成吸杂层的半导体装置的制造方法以及形成有吸杂层的半导体装置。本发明为层叠了多个衬底的半导体装置(1)的制造方法，具有：对第一衬底层叠第二衬底的工序；对第二衬底的面之中形成有器件层的...
该专利属于超极存储器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过超极存储器股份有限公司授权不得商用。

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