一种硅片清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种硅片清洗方法，包括步骤：将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；将所述硅片放入纯水中进行清洗；将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；将所述硅片放入纯水中进行清洗。本发明专利技术能够有效清洗硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质，提高了硅片的清洗效果。

A cleaning method of silicon wafer

【技术实现步骤摘要】
一种硅片清洗方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种硅片清洗方法。
技术介绍
在硅片的生产中，其表面往往会沾染各种挥发物而形成杂质，特别是表面会形成有一些金属杂质，这样影响了硅片的加工效果，严重的话对后续半导体的加工和使用造成不良的后果。所以在加工硅片的过程中，必须对硅片进行清洗。目前，对硅片的清洗的方式一般为只是用水冲洗一下硅片，这样清洗效果不佳，不能有效清洗硅片表面的由挥发物形成的杂质，尤其是金属杂质。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种硅片清洗方法，能够有效清洗硅片表面的金属杂质及由挥发物形成的杂质，提高了硅片的清洗效果。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种硅片清洗方法，其包括：将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；将所述硅片放入纯水中进行清洗；将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；将所述硅片放入纯水中进行清洗。作为上述方案的改进，按质量百分比算，所述清洗液由浓度为60-70本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括：/n将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；/n将所述硅片放入纯水中进行清洗；/n将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；/n将所述硅片放入纯水中进行清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括：
将硅片放入清洗液中进行清洗；其中，所述清洗液包含硫酸、氢氟酸和水；
将所述硅片放入纯水中进行清洗；
将所述硅片放入酸洗液中进行清洗；其中，所述酸洗液包含氢氟酸、盐酸和水；
将所述硅片放入纯水中进行清洗。


2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，按质量百分比算，所述清洗液由浓度为60-70％的硫酸溶液及浓度为45～55％的氢氟酸溶液配制而成。


3.根据权利要求1或2所述的硅片清洗方法，其特征在于，在将硅片放入清洗液中进行清洗时，清洗温度为25℃～30℃，清洗时间为...

【专利技术属性】
技术研发人员：程丙坤，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44