【技术实现步骤摘要】
P型GaAs层及其外延生长方法、GaAs太阳能电池及制备方法
本专利技术涉及外延生长
，具体而言，涉及一种P型GaAs层及其外延生长方法、GaAs太阳能电池及制备方法。
技术介绍
随着节能减排运动的兴起，作为转化效率最高的GaAs太阳能电池的应用越来越广泛。目前GaAs太阳能电池主要制备方法是金属有机化合物气相沉积(MOCVD)或者分子束外延(MBE)中进行外延沉积。单结GaAs太阳能电池外延结构一般由n型GaAs层，基层和P型GaAs层组成，另外P型GaAs层可以分为窗口层和欧姆接触层，基层可以是p掺杂或者n掺杂或者不掺杂，欧姆接触层一般为重掺杂的P型GaAs。多结GaAs太阳能电池主要由隧道结将禁带宽度不同的子电池串联组成，隧道结由重掺杂的P型和n型GaAs共同组成。通常，P型层通常采用镁、碳等原子取代As进行掺杂，如何提高p掺杂浓度一直是GaAs太阳能电池制备的难点。为了解决这个问题，通常会采用引入Al组分，来提高掺杂浓度，但是Al的引入，使其耐辐射性能降低，特别是高温高湿环境中，氧化会降低器件的...
【技术保护点】
1.一种P型GaAs层的外延生长方法，其特征在于，包括：/n步骤S1，向反应室中通入镓源、砷源和P型掺杂源以进行外延生长，得到P型GaAs基层；/n步骤S2，停止通入所述P型掺杂源，向所述反应室内通入铟源在所述P型GaAs基层上生长InGaAs量子点层；/n步骤S3，停止通入所述铟源和所述镓源，升温并保温以去除所述InGaAs量子点层的In；以及/n步骤S4，保温结束后通入所述镓源、所述砷源和所述P型掺杂源进行P型掺杂生长。/n
【技术特征摘要】
1.一种P型GaAs层的外延生长方法，其特征在于，包括：
步骤S1，向反应室中通入镓源、砷源和P型掺杂源以进行外延生长，得到P型GaAs基层；
步骤S2，停止通入所述P型掺杂源，向所述反应室内通入铟源在所述P型GaAs基层上生长InGaAs量子点层；
步骤S3，停止通入所述铟源和所述镓源，升温并保温以去除所述InGaAs量子点层的In；以及
步骤S4，保温结束后通入所述镓源、所述砷源和所述P型掺杂源进行P型掺杂生长。
2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述步骤S3在对所述InGaAs量子点层进行升温之前，静置10～60s，优选所述步骤S3升温至700～1100℃并保温以去除所述InGaAs量子点层的In，优选所述保温的时间为10～60s，进一步优选升温至700～1100℃对所述InGaAs量子点层进行烘烤。
3.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
停止通入所述P型掺杂源，向所述反应室内通入铟源，在500～900℃温度下在所述P型GaAs基层上生长InGaAs量子点层，优选所述InGaAs量子点层的厚度为2～5个单分子层。
4.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述步骤S4中在700～1100℃下进行所述P型掺杂生长，优选所述P型掺杂生长的时间为1～60s。
5.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长方法还包括：
步骤S5，至少重复一次所述步骤S1至步骤S4，优选重复10～300次。
6.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述步骤S1的外延生长温度为600～1000℃，优选所述P型GaAs基层的厚度为2～10nm，优选所述步骤S1还通入铝源形成含Al的P型GaAs基层，优选所述铝源为三甲基铝。
7.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述镓源为三甲基镓和/或三乙基镓，优选所述砷源为砷烷，优选所述P型掺杂源选自二茂镁或四溴化碳，优选所述铟源为三甲基铟。
8.一种GaAs太阳能电池的制备方法，所述GaAs太阳能电池包括一个或多个P型GaAs层，所述制备方法包括所述P型G...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗轶，李琳琳，宋士佳，
申请(专利权)人：东泰高科装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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