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本发明提供了一种P型GaAs层及其外延生长方法、GaAs太阳能电池及制备方法。外延生长方法，包括：步骤S1，向反应室中通入镓源、砷源和P型掺杂源以进行外延生长，得到P型GaAs基层；步骤S2，停止通入P型掺杂源，向反应室内通入铟源在P型Ga...
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