【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机氢氯硅烷的制造工艺
本专利技术涉及氢硅烷的制造；特别地涉及氢氯硅烷，特别地单-和二氯氢硅烷，特别地选自Me2Si(H)Cl、MeSi(H)Cl2和MeSi(H)2Cl的甲基氯氢单硅烷的制造。更具体地，本专利技术涉及从有机氯硅烷开始的制造氢氯硅烷的工艺。
技术介绍
有机氢硅烷为有机硅合成化学中非常有用的起始材料，并因此构成工业上有价值的一类化合物。这样的兼具氯-和氢取代基的有机硅烷因它们的双官能性质(这意味着它们具有反应性不同的官能团)而在合成中构成引人注目的起始材料。氯取代基是比氢基团好的离去基团并且容许，例如，在温和条件下在保留Si-H键的情况下其它单体型或低聚物型硅氧烷单元的受控加成，从而使所述氯氢硅烷在限定的低聚硅氧烷合成和聚硅氧烷合成中可用作封闭剂和偶联剂。这样的化合物通常例如在电子、汽车、建筑及更多领域中得到宽范围的应用，例如用于制造胶粘剂、密封剂、模塑物、复合物和树脂。氢氯硅烷中存在的Si-H部分可用于合成后的改性和官能化，例如通过硅氢化反应而用于将有机残基引入至聚有机硅氧烷或者用于交联，这在多种种类的含有聚有机硅氧烷的组合物中是合意的。官能化的聚硅氧烷的如下合成也是可行的：其始于经由Si-H键的转变，然后使Si-Cl键水解或醇解，并且任选地缩合，以形成聚硅氧烷。US2008/0200710A1公开通过使1,2-四甲基二氯二硅烷和氯化氢在a)钯、b)叔胺、和c)叔膦的催化剂混合物的存在下反应而制备二甲基氯硅烷的方法。在这样的工艺中获得的氢硅烷的百分数是比较低的并且该工艺...
【技术保护点】
1.制造通式(I)的单硅烷的工艺：/nR
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20170920 EP 17192242.0;20180615 EP 18177923.21.制造通式(I)的单硅烷的工艺：
RxSiHyClz(I)，
其中R为有机基团，
x＝1-3、优选地1-2，
y＝1-3、优选地1-2，
z＝0-3、优选地1-2，和
x+y+z＝4，
所述工艺包括：
A)使硅烷底物在一种或多种化合物(C)的存在下经历反应的步骤，所述硅烷底物包括一种或多种选自如下的硅烷：
a)通式(II)的单硅烷
RaSiHbClc(II)
其中R如上定义，
a＝1-3，
b＝0-3，
c＝0-3，且
a+b+c＝4，和
b)通式(III)的二硅烷
ReSi2HfClg(III)
其中R如上定义，
e＝1-5，
f＝0-5，
g＝0-5，且
e+f+g＝6，
c)通式(IV)的碳二硅烷
Rm(SiCH2Si)HnClo(IV)
其中R如上定义，
m＝1-5，
n＝0-5，
o＝0-5，且
m+n+o＝6，
所述一种或多种化合物(C)选自：
-膦R13P，其中R1为氢或有机基团并且能为相同的或不同的；优选为R3P，其中R如上定义并且能为相同的或不同的；例如PPh3，和
-胺R13N，其中R1为氢或有机基团并且能为相同的或不同的；优选为R3N，其中R如上定义并且能为相同的或不同的；例如n-Bu3N或NPh3，和
B)任选地，分离所得的通式(I)的单硅烷的步骤，
条件是：
(i)式(II)、(III)或(IV)的至少一种硅烷在硅原子处具有至少一个氯取代基，
以及以下条件(ii)和(iii)的至少一项：
(ii)式(II)、(III)或(IV)的硅烷的至少一种在硅原子处具有至少一个氢取代基，
(iii)步骤A)在一种或多种氢给体的存在下实施。
2.根据权利要求1所述的工艺，其在不供应氯化氢的情况下和/或在不存在金属催化剂，优选地不存在氯化铝或钯催化剂下实施。
3.根据权利要求1或2所述的工艺，其中步骤A)在有机溶剂，优选地高沸点醚化合物，更优选地1,4-二氧六环、二甘醇二甲醚或四甘醇二甲醚，最优选地二甘醇二甲醚中实施。
4.根据权利要求1-3任一项所述的工艺，其中步骤A)在一种或多种氢给体，优选地一种或多种金属氢化物，更优选地选自碱金属氢化物和碱土金属氢化物的一种或多种金属氢化物，和最优选地氢化锂的存在下实施。
5.根据前述权利要求任一项所述的工艺，其中在通式(II)、(III)或(IV)的一个或多个和通式(I)中，R为烷基或环烷基基团、优选地甲基基团。
技术研发人员：N奥纳，T桑托斯基，AG斯特姆，
申请(专利权)人：莫门蒂夫性能材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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