一种连续化提纯2-氰基乙基三氯硅烷的装置及方法制造方法及图纸

一种连续化提纯2‑氰基乙基三氯硅烷的装置及方法，它涉及2‑氰基乙基三氯硅烷的提纯装置及方法，它是要解决现有的2‑氰基乙基三氯硅烷的提纯方法收率低的技术问题。本发明专利技术的装置包括五级依次连接的蒸馏系统、给料泵和原料储罐；原料储罐经给料泵与Ⅰ级蒸馏系统的刮板式薄膜蒸发器的加料口相连接。方法：2‑氰基乙基三氯硅烷粗产品依次通入五级蒸馏系统进行蒸馏，各组蒸馏系统的温度逐渐升高，压力温度逐渐降低，进行提纯。本发明专利技术得到的2‑氰基乙基三氯硅烷精品色谱纯度最高可以达到99.98％，收率大于75％，可用于2‑氰基乙基三氯硅烷的提纯领域。

A device and method for continuous purification of 2-cyanoethyltrichlorosilane

【技术实现步骤摘要】
一种连续化提纯2-氰基乙基三氯硅烷的装置及方法
本专利技术涉及2-氰基乙基三氯硅烷的连续化提纯方法及工业上连续提纯装置，属精细化工领域。
技术介绍
2-氰基乙基三氯硅烷，其结构式为它是合成2-氰基乙基三乙氧基硅烷的重要原料。2-氰基乙基三氯硅烷合成后的粗产品中含有三氯氢硅、四氯化硅、丙烯腈及丙腈四种前馏分，因此需要对粗产品进行提纯。现有的对粗产品的提纯一般是采用常规减压蒸馏及精馏，因为2-氰基乙基三氯硅烷对温度非常敏感，在高温环境下长时间的提纯会使2-氰基乙基三氯硅烷形成沸点较高的聚合物，简称高沸，致使2-氰基乙基三氯硅烷收率降低。
技术实现思路
本专利技术是要解决现有的2-氰基乙基三氯硅烷的提纯方法收率低的技术问题，而提供一种连续化提纯2-氰基乙基三氯硅烷的装置及方法。本专利技术的连续化提纯2-氰基乙基三氯硅烷的装置包括Ⅰ级蒸馏系统、Ⅱ级蒸馏系统、Ⅲ级蒸馏系统、Ⅳ级蒸馏系统、Ⅴ级蒸馏系统、给料泵、原料储罐；Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ级各级蒸馏系统由刮板式薄膜蒸发器、冷凝器、成品罐、接收罐和背压阀组成，Ⅴ级蒸馏系统由刮板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种连续化提纯2-氰基乙基三氯硅烷的装置，其特征在于该装置包括Ⅰ级蒸馏系统(1)、Ⅱ级蒸馏系统(2)、Ⅲ级蒸馏系统(3)、Ⅳ级蒸馏系统(4)、Ⅴ级蒸馏系统(5)、给料泵(6)、原料储罐(7)；/nⅠ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ级各级蒸馏系统由刮板式薄膜蒸发器、冷凝器、成品罐、接收罐和背压阀组成，Ⅴ级蒸馏系统由刮板式薄膜蒸发器、冷凝器、成品罐和接收罐组成；/n各级蒸馏系统中的刮板式薄膜蒸发器的侧壁上部设置加料口，在顶部设置蒸汽出口，蒸汽出口通过冷凝器与成品罐相连；在刮板式薄膜蒸发器的底部设置浓缩液出口；浓缩液出口与接收罐相连；接收罐通过背压阀与下一级的刮板式薄膜蒸发器的加料口相连接；/n原料储罐(7)经给料...

【技术特征摘要】
1.一种连续化提纯2-氰基乙基三氯硅烷的装置，其特征在于该装置包括Ⅰ级蒸馏系统(1)、Ⅱ级蒸馏系统(2)、Ⅲ级蒸馏系统(3)、Ⅳ级蒸馏系统(4)、Ⅴ级蒸馏系统(5)、给料泵(6)、原料储罐(7)；
Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ级各级蒸馏系统由刮板式薄膜蒸发器、冷凝器、成品罐、接收罐和背压阀组成，Ⅴ级蒸馏系统由刮板式薄膜蒸发器、冷凝器、成品罐和接收罐组成；
各级蒸馏系统中的刮板式薄膜蒸发器的侧壁上部设置加料口，在顶部设置蒸汽出口，蒸汽出口通过冷凝器与成品罐相连；在刮板式薄膜蒸发器的底部设置浓缩液出口；浓缩液出口与接收罐相连；接收罐通过背压阀与下一级的刮板式薄膜蒸发器的加料口相连接；
原料储罐(7)经给料泵(6)与Ⅰ级蒸馏系统的刮板式薄膜蒸发器的加料口相连接。


2.根据权利要求1所述的一种连续化提纯2-氰基乙基三氯硅烷的装置，其特征在于所述的刮板式薄膜蒸发器的内壁及刮板的材质为酚醛玻璃钢。


3.根据权利要求1或2所述的一种连续化提纯2-氰基乙基三氯硅烷的装置，其特征在于还包括氮气供给系统、真空系统和冷却系统。


4.利用权利要求1所述的装置连续化提纯2-氰基乙基三氯硅烷的方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：
一、向Ⅰ级蒸馏系统内通入氮气，使Ⅰ级蒸馏系统内的压力达到240～250kPa；再将原料储罐内的2-氰基乙基三氯硅烷粗产品打入Ⅰ级刮板式薄膜蒸发器内，在温度为60～65℃、压力为240～250kPa的条件下蒸馏；蒸馏出气态物质经蒸汽出口进入到Ⅰ级冷凝器冷凝，冷凝液流入到Ⅰ级成品罐内；得到前馏分三氯氢硅；蒸馏后浓缩液流入到Ⅰ级接收罐内...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪冠丞，张磊，李季，
申请(专利权)人：江西宏柏新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36