【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含堆叠存储器单元的易失性存储器装置相关申请本申请要求于2017年8月29日提交的美国申请序列号62/551,542的优先权权益，所述美国申请以全文引用的方式并入本文。
技术介绍
存储器装置广泛用于计算机和许多其它电子物品中以存储信息。存储器装置通常分为两种类型：易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置的实例包含动态随机存取存储器(DRAM)装置。非易失性存储器装置的实例包含闪速存储器装置(例如，闪速记忆棒)。存储器装置通常具有许多存储器单元。在易失性存储器装置中，如果供电电力与存储器装置关断连接，则存储在存储器单元中的信息会丢失。在非易失性存储器装置中，即使供电电力与存储器装置关断连接，存储在存储器单元中的信息也会保留。本文的描述涉及易失性存储器装置。大多数常规易失性存储器装置具有平面结构(即，二维结构)，在所述平面结构中存储器单元形成于装置的单个层级中。随着对装置存储密度需求的增加，许多常规技术提供了用于缩小存储器单元的大小以针对给定装置面积而增加装置存储密度的方法。然而，如果要将存储器单元的大小缩小到一定尺寸，则物理限制和制造约束可能会对这种传统技术构成挑战。与一些常规存储器装置不同，本文描述的存储器装置包含可以克服常规技术所面临的挑战的特征。附图说明图1示出了根据本文所描述的一些实施例的采取存储器装置的形式的包含易失性存储器单元的设备的框图。图2A示出了根据本文所描述的一些实施例的存储器装置的包含存储器阵列的一部分的示意图。图2B示出了图2A的存储器装置的一部分...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n柱，所述柱包含在垂直于衬底的方向上延伸的长度，所述柱包含第一段和第二段，所述第一段和所述第二段中的每个段包含第一导电类型的半导体材料部分，所述半导体材料部分接触第二导电类型的半导体材料部分；/n第一易失性存储器单元，所述第一易失性存储器单元包含：/n第一导电材料，所述第一导电材料沿所述第一段定位并通过第一电介质与所述/n第一段分离；以及/n第一另外的导电材料，所述第一另外的导电材料通过第一另外的电介质与所述/n第一导电材料分离；以及/n第二易失性存储器单元，所述第二易失性存储器单元包含：/n第二导电材料，所述第二导电材料沿所述第二段定位并通过第二电介质与所述/n第二段分离；以及/n第二另外的导电材料，所述第二另外的导电材料通过第二另外的电介质与所述第二导电材料分离。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170829 US 62/551,5421.一种设备，其包括：
柱，所述柱包含在垂直于衬底的方向上延伸的长度，所述柱包含第一段和第二段，所述第一段和所述第二段中的每个段包含第一导电类型的半导体材料部分，所述半导体材料部分接触第二导电类型的半导体材料部分；
第一易失性存储器单元，所述第一易失性存储器单元包含：
第一导电材料，所述第一导电材料沿所述第一段定位并通过第一电介质与所述
第一段分离；以及
第一另外的导电材料，所述第一另外的导电材料通过第一另外的电介质与所述
第一导电材料分离；以及
第二易失性存储器单元，所述第二易失性存储器单元包含：
第二导电材料，所述第二导电材料沿所述第二段定位并通过第二电介质与所述
第二段分离；以及
第二另外的导电材料，所述第二另外的导电材料通过第二另外的电介质与所述第二导电材料分离。
2.根据权利要求1所述的设备，其中
所述第一导电材料形成所述第一易失性存储器单元的存储节点的一部分；并且
所述第二导电材料形成所述第二易失性存储器单元的存储节点的一部分。
3.根据权利要求2所述的设备，其中
所述柱的所述第一段的所述第二导电类型的所述半导体材料部分形成包含在所述第一易失性存储器单元中的晶体管的沟道的一部分；并且
所述柱的所述第二段的所述第二导电类型的所述半导体材料部分形成包含在所述第二易失性存储器单元中的晶体管的沟道的一部分。
4.根据权利要求3所述的设备，其中
所述第一另外的导电材料包含围绕所述第一另外的电介质的侧壁的部分；并且
所述第二另外的导电材料包含围绕所述第二另外的电介质的侧壁的部分。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电介质和所述第二电介质是沿所述柱的侧壁连续延伸的介电区域的一部分。
6.根据权利要求1所述的设备，其中
所述第一导电类型是n型；并且
所述第二导电类型是p型。
7.一种设备，其包括：
第一柱，所述第一柱包含在垂直于衬底的方向上延伸的长度，
第二柱，所述第二柱包含在垂直于所述衬底的所述方向上延伸的长度；
第一易失性存储器单元，所述第一易失性存储器单元包含：
第一导电材料，所述第一导电材料包含第一部分和第二部分，所述第一导电材料的所述第一部分沿所述第一柱的第一段定位并通过第一电介质与所述第一柱的所述第一段分离，并且所述第一导电材料的所述第二部分接触所述第二柱的第一段的导电材料；以及
第二易失性存储器单元，所述第二易失性存储器单元包含：
第二导电材料，所述第二导电材料包含第一部分和第二部分，所述第二导电材料的所述第一部分沿所述第一柱的第二段定位并通过第二电介质与所述第一柱的所述第二段分离，并且所述第二导电材料的所述第二部分接触所述第二柱的第二段的导电材料。
8.根据权利要求7所述的设备，其中
所述第一导电材料形成所述第一易失性存储器单元的存储节点的一部分；并且
所述第二导电材料形成所述第二易失性存储器单元的存储节点的一部分。
9.根据权利要求7所述的设备，其中
所述第一电介质包含围绕所述第一柱的所述第一段的侧壁的部分；
第一导电材料的所述第一部分围绕所述第一电介质的侧壁；
所述第二电介质包含围绕所述第一柱的所述第二段的侧壁的部分；并且
所述第二导电材料的所述第一部分围绕所述第二电介质的侧壁。
10.根据权利要求9所述的设备，其中
所述第一导电材料的所述第二部分围绕所述第二柱的所述第一段的所述导电材料的侧壁；并且
所述第二导电材料的所述第二部分围绕所述第二柱的所述第二段的所述导电材料的侧壁。
11.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括：
第三导电材料，所述第三导电材料包含第一部分和第二部分，所述第三导电材料的所述第一部分沿所述第一柱定位并通过第三电介质与所述第一柱的第三段分离，并且所述第三导电材料的所述第二部分沿所述第二柱的第三段定位并通过第三另外的电介质与所述第二柱的所述第三段分离；
第四导电材料，所述第四导电材料包含第一部分和第二部分，所述第四导电材料的所述第一部分沿所述第一柱的第四段定位并通过第四电介质与所述第一柱的所述第三段分离，并且所述第四导电材料的所述第二部分沿所述第二柱的第四段定位并通过第四另外的电介质与所述第二柱的所述第四段分离。
12.根据权利要求11所述的设备，其中
所述第三导电材料形成与所述第一易失性存储器单元相关联的字线的一部分；并且
所述第四导电材料形成与所述第二易失性存储器单元相关联的字线的一部分。
13.根据权利要求11所述的设备，其中
所述第一柱的所述第三段和所述第四段位于第一柱的所述第一段与所述第二段之间；并且
第二柱的所述第三段和所述第四段位于所述第二柱的所述第一段与所述第二段之间。
14.根据权利要求11所述的设备，其中
所述第一柱的所述第三段位于所述第一柱的所述第一段与所述第二段之间，并且所述第二柱的所述第二段位于所述第一柱的所述第三段与所述第四段之间；并且
所述第二柱的所述第三段位于所述第二柱的所述第一段与所述第二段之间，并且所述第二柱的所述第二段位于所述第二柱的所述第三段与所述第四段之间。
15.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括：
接触所述第二柱的第三段的导电材料的另外的导电材料，其中所述第二柱的所述第三段位于所述第一易失性存储器单元与所述第二易失性存储器单元之间。
16.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括：
接触所述第二柱的导电材料的另外的导电材料，其中所述第一易失性存储器单元位于所述另外的导电材料与所述第二易失性存储器单元之间。
17.一种设备，其包括：
柱，所述柱包含在垂直于衬底的方向上延伸的长度；
第一易失性存储器单元，所述第一易失性存储器单元沿所述柱的第一段定位，所述第一易失性存储器单元包含第一存储节点，所述第一存储节点包含在所述柱的所述第一段的一部分中；
第二存储器单元，所述第二存储器单元沿所述柱的第二段定位，所述第二易失性存储器单元包含第二存储节点，所述第二存储节点包含在所述柱的所述第二段的一部分中，所述第一段的所述部分和所述第二段的所述部分中的每个部分均由第一导电类型的半导体材料形成；并且
所述柱包含定位于所述第一段与所述第二段之间的第三段，所述第三段包含由第二导电类型的半导体材料形成的部分。
18.根据权利要求17所述的设备，其中所述第三段的所述部分接触所述第一段的所述部分和所述第二段的所述部分中的每个部分。
19.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括通过电介质与所述第三段的所述部分分离的导电材料。
20.根据权利要求18所述的设备，其进一步包括接触所述第三段的所述部分的导电材料。
21.根据权利要求20所述的设备，其中
所述柱包含接触所述第一段的所述部分的第一侧的另外的部分，所述另外的部分具有在所述柱的所述长度的所述方向上的第一厚度；并且
所述第三段的所述部分接触所述第一段的所述部分的第二侧，所述第三段的所述部分具有在所述柱的所述长度的所述方向上的第二厚度，并且所述第二厚度大于所述第一厚度。
22.根据权利要求17所述的设备，其中
所述柱的所述第一段包含接触所述第一段的所述部分的另外的部分；并且
所述柱的所述第二段包含接触所述第二段的所述部分的另外的部分，并且所述第一段的所述另外的部分和所述第二段的所述另外的部分中的每个另外的部分均由所述第二导电类型的半导体材料形成。
23.根据权利要求17所述的设备，其中
所述第一导电类型是n型；并且
所述第二导电类型是p型。
24.一种设备，其包括：
衬底，所述衬底包含在易失性存储器装置中；以及
柱，所述柱包含在所述易失性存储器装置中，所述柱包含在垂直于所述衬底的方向...
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