制造半导体装置的方法制造方法及图纸

提供了制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括从目标设计布局中选择目标图案。目标图案包括：目标网；电连接到目标网的目标过孔；以及交叉网，其电连接到目标过孔并且位于与目标网不同的水平高度上。该方法包括分析与目标网相邻的外围图案。此外，该方法包括生成冗余网和将冗余网和交叉网电连接的冗余过孔。

Methods of manufacturing semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月16日提交的韩国专利申请No.10-2018-0141497的优先权，以及由此生成的所有权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
本公开涉及制造半导体装置的方法。
技术介绍
随着半导体装置的制造已经变得更加复杂，对小型化半导体装置的需求也在增加。为了制造小型化半导体装置，能够确保完成的装置的可靠性的布局设计可能是有利的。
技术实现思路
本公开的实施例提供一种制造半导体装置的方法，该方法能够提高半导体装置的产量、可靠性和加工性。本公开的实施例还提供了一种布局设计系统，其能够提高半导体装置的产量、可靠性和加工性。然而，本公开的专利技术构思不限于本文阐述的示例实施例。根据本公开的一些实施例，一种制造半导体装置的方法可以包括提供包括所述半导体装置的设计信息和工艺信息的数据库。该方法可以包括通过执行使用基于所述数据库的特征集的机器学习来生成预测模型。所述预测模型可以预测所述半导体装置的坏图案。该方法可以包括使用所述预测模型从目标设计布局中选择目标图案。所述目标图案可以包括：目标网；目标过孔，其电连接到所述目标网；和交叉网，其电连接到所述目标过孔并且位于与所述目标网不同的水平高度上。该方法可以包括分析与所述目标网相邻的外围图案。该方法可以包括基于分析所述外围图案，生成与所述交叉网相交的冗余网，所述冗余网位于与所述目标网相同的水平高度上，并且生成电连接所述冗余网和所述交叉网的冗余过孔。而且，该方法可以包括检查所述冗余网和所述冗余过孔，以确定所述冗余网和所述冗余过孔是否满足预定设计规则。根据一些实施例的一种制造半导体装置的方法可以包括：提供所述半导体装置的目标设计布局。该方法可以包括从所述目标设计布局中选择目标图案。所述目标图案可以包括：目标网，其沿第一方向延伸；第一目标过孔，其电连接到所述目标网；和第一交叉网，其电连接到所述第一目标过孔并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述第一交叉网在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上位于与所述目标网不同的水平高度上。该方法可以包括分析与所述目标网相邻的外围图案。所述外围图案可以包括第一外围网和第二外围网，所述第一外围网和所述第二外围网沿所述第一方向延伸，所述第一外围网和所述第二外围网在所述第三方向上位于与所述目标网相同的水平高度上，并且所述第一外围网和所述第二外围网在所述第二方向上彼此间隔开。该方法可以包括生成冗余网，所述冗余网沿所述第一方向延伸，所述冗余网在所述第三方向上位于与所述目标网相同的水平高度上，所述冗余网位于所述第一外围网和所述第二外围网之间。而且，该方法可以包括生成电连接所述冗余网和所述第一交叉网的第一冗余过孔。根据一些实施例的一种制造半导体装置的方法可以包括：提供所述半导体装置的目标设计布局。该方法可以包括从所述目标设计布局中选择目标图案。所述目标图案可以包括：目标网，其沿第一方向延伸；第一目标过孔，其电连接到所述目标网；第二目标过孔，其与所述第一目标过孔间隔开并且电连接到所述目标网；第一交叉网，其电连接到所述第一目标过孔并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述第一交叉网在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上位于与所述目标网不同的水平高度上；和第二交叉网，其电连接到所述第二目标过孔并且沿所述第二方向延伸，所述第二交叉网在所述第三方向上位于所述与所述目标网不同的水平高度上、或者位于另一与所述目标网不同的水平高度上。该方法可以包括分析与所述目标网相邻的外围图案。所述外围图案可以包括第一外围网，所述第一外围网沿所述第一方向延伸，所述第一外围网在所述第三方向上位于与所述目标网相同的水平高度上，并且所述第一外围网在所述第二方向上与所述目标网间隔开。该方法可以包括生成第一冗余网，所述第一冗余网沿所述第一方向延伸，所述第一冗余网在所述第三方向上位于与所述目标网相同的水平高度上。所述第一外围网可以位于所述目标网和所述第一冗余网之间。而且，该方法可以包括生成第一冗余过孔和第二冗余过孔，所述第一冗余过孔电连接所述第一冗余网和所述第一交叉网，所述第二冗余过孔电连接所述第一冗余网和所述第二交叉网。根据一些实施例的布局设计系统可包括处理器。该布局设计系统可以包括选择单元，该选择单元被配置为使用处理器从半导体装置的目标设计布局中选择目标图案。而且，该布局设计系统可以包括生成单元，该生成单元被配置为使用处理器在目标图案中生成冗余网和冗余过孔。目标图案可以包括：目标网；电连接到目标网的目标过孔；以及第一交叉网，其电连接到目标过孔并且位于与目标网不同的水平高度上。生成单元可以包括分析模块，该分析模块被配置为分析与目标网相邻的外围图案。生成单元可以包括生成模块，该生成模块被配置为基于所分析的外围图案生成冗余网。冗余网可以与第一交叉网相交并位于与目标网相同的水平高度上。冗余过孔可以电连接冗余网和第一交叉网。而且，生成单元可以包括检查模块，该检查模块被配置为检查冗余网和冗余过孔，以确定冗余网和冗余过孔是否满足预定设计规则。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术构思的示例实施例，本专利技术构思的上述和其他目的和特征将变得显而易见，在附图中：图1是示出根据本公开的一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图。图2A是示出图1的框10的流程图。图2B是示出图1的框10的示意图。图3A是示出图1的框20的流程图。图3B是示出图1的框20的布局图。图4是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的流程图。图5是示出根据图4的冗余网和冗余过孔的生成的示意图。图6是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的示意图。图7是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的流程图。图8是示出根据图7的冗余网和冗余过孔的生成的示意图。图9是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的流程图。图10是示出根据图9的冗余网和冗余过孔的生成的示意图。图11是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的示意图。图12是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的示意图。图13是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的流程图。图14和图15是示出根据图13的执行定时损伤测试的示意图。图16是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的示意图。图17是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的示意图。图18是示出根据本公开的一些实施例的冗余网和冗余过孔的生成的示意图。图19是根据本公开的一些实施例的布局设计系统的框图。图20是图19的选择单元的框图。图21是图19的生成单元的框图。具体实施方式以下将参照图1至图17描述根据本公开的一些实施例的制造半导体装置的方法。图1是示出根据本公开的一些实施例的制造半导体装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：/n提供包括所述半导体装置的设计信息和工艺信息的数据库；/n通过执行使用基于所述数据库的特征集的机器学习来生成预测模型，其中所述预测模型预测所述半导体装置的坏图案；/n使用所述预测模型从目标设计布局中选择目标图案，其中所述目标图案包括：/n目标网；/n目标过孔，其电连接到所述目标网；和/n交叉网，其电连接到所述目标过孔并且位于与所述目标网不同的水平高度上；/n分析与所述目标网相邻的外围图案；/n基于分析所述外围图案，生成与所述交叉网相交的冗余网，所述冗余网位于与所述目标网相同的水平高度上，并且生成电连接所述冗余网和所述交叉网的冗余过孔；和/n检查所述冗余网和所述冗余过孔，以确定所述冗余网和所述冗余过孔是否满足预定设计规则。/n

【技术特征摘要】
20181116 KR 10-2018-01414971.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：
提供包括所述半导体装置的设计信息和工艺信息的数据库；
通过执行使用基于所述数据库的特征集的机器学习来生成预测模型，其中所述预测模型预测所述半导体装置的坏图案；
使用所述预测模型从目标设计布局中选择目标图案，其中所述目标图案包括：
目标网；
目标过孔，其电连接到所述目标网；和
交叉网，其电连接到所述目标过孔并且位于与所述目标网不同的水平高度上；
分析与所述目标网相邻的外围图案；
基于分析所述外围图案，生成与所述交叉网相交的冗余网，所述冗余网位于与所述目标网相同的水平高度上，并且生成电连接所述冗余网和所述交叉网的冗余过孔；和
检查所述冗余网和所述冗余过孔，以确定所述冗余网和所述冗余过孔是否满足预定设计规则。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述特征集包括：
第一特征集，其包括正常图案的特征；和
第二特征集，其包括坏图案的特征。


3.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述外围图案包括第一外围网和第二外围网，
其中，在生成所述冗余网和所述冗余过孔之前，所述目标网位于所述第一外围网和所述第二外围网之间，并且
其中，分析所述外围图案包括测量：
所述目标网与所述第一外围网之间的第一距离；和
所述目标网与所述第二外围网之间的第二距离。


4.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述外围图案包括第一外围网和第二外围网，
其中，所述第一外围网位于所述目标网和所述第二外围网之间，并且
其中，分析所述外围图案包括测量所述第一外围网和所述第二外围网之间的距离。


5.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述冗余网在一方向上比所述目标网宽，
其中，所述冗余过孔在所述方向上比所述目标过孔宽，并且
其中，生成所述冗余网和所述冗余过孔包括利用所述冗余网和所述冗余过孔分别替换所述目标网和所述目标过孔。


6.根据权利要求1所述的方法，
其中，所述外围图案包括外围网，所述外围网与所述目标网间隔开，所述外围网位于与所述目标网相同的水平高度上，并且
其中，所述外围网位于所述冗余网和所述目标网之间。


7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
在生成所述冗余网和所述冗余过孔之后，对通过所述冗余网的走线路径执行定时损伤测试。


8.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：
提供所述半导体装置的目标设计布局；
从所述目标设计布局中选择目标图案，
其中，所述目标图案包括：
目标网，其沿第一方向延伸；
第一目标过孔，其电连接到所述目标网；和
第一交叉网，其电连接到所述第一目标过孔并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸，所述第一交叉网在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上位于与所述目标网不同的水平高度上；
分析与所述目标网相邻的外围图案，其中所述外围图案包括第一外围网和第二外围网，所述第一外围网和所述第二外围网沿所述第一方向延伸，所述第一外围网和所述第二外围网在所述第三方向上位于与所述目标网相同的水平高度上，并且所述第一外围网和所述第二外围网在所述第二方向上彼此间隔开；
生成冗余网，所述冗余网沿所述第一方向延伸，所述冗余网在所述第三方向上位于与所述目标网相同的水平高度上，所述冗余网位于所述第一外围网和所述第二外围网之间；和
生成电连接所述冗余网和所述第一交叉网的第一冗余过孔。


9.根据权利要求8所述的方法，
其中，在生成所述冗余网之前，所述目标网位于所述第一外围网和所述第二外围网之间，并且
其中，分析所述外围图案包括测量：
所述目标网与所述第一外围...

【专利技术属性】
技术研发人员：金在焕，姜在贤，申秉澈，朴起兴，白承元，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR