半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置包含至少一个修饰单元块，修饰单元块包含修饰支座区域，其中修饰支座区域具有第一带状主动区域，第一带状主动区域沿平行于垂直支座边缘的第一轴线布置，以相邻设置于其他单元块(包含非标准、标准以及修饰单元块)并形成垂直支座。提供于修饰支座区域中的结构改善了位于修饰单元块与相邻的单元块之间的结构与装置密度匹配，进而减少位于垂直支座单元块之间的对空白区域的需求，并减小装置总面积及提升单元密度。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本揭露是有关于一种半导体装置。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit,IC)产业随着IC材料与设计的进步而持续经历快速成长，并产出连续数代的ICs，且与每一代与其前一代相比，具有更小的几何尺寸及较复杂的电路。为了提供设计的功能密度，用于生产新一代ICs的相关布局、装置结构以及制程的复杂性相应提升。先进的图案化及蚀刻制程的表现受到与所制造的特定IC装置布局配置相关的密度梯度效应(densitygradienteffects,DGE)影响。在IC装置布局期间的考量以及功能性与非功能性结构的相对位置、高度与密度的调整，减少一些密度梯度效应并改善最终ICs的均匀性与性能，且减少晶圆面积并增加晶圆密度。
技术实现思路
一种半导体装置包含第一修饰单元块以及第二单元块。第一修饰单元块具有第一修饰支座区域。第二单元块具有第二支座区域。第一修饰单元块与第二单元块布置以形成垂直支座。第一修饰支座区域包含第一带状主动区域，沿平行于垂直支座的边缘的第一轴线布置。第一修饰支座区域直接相邻于第二支座区域以减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n一第一修饰单元块，具有一第一修饰支座区域；/n一第二单元块，具有一第二支座区域；/n该第一修饰单元块与该第二单元块布置以形成一垂直支座；/n其中该第一修饰支座区域包含一第一带状主动区域沿平行于该垂直支座的一边缘的一第一轴线布置；且/n其中该第一修饰支座区域直接相邻于该第二支座区域以减小由该第一修饰单元块及该第二单元块占据的一装置总面积。/n

【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,678;20191025 US 16/664,2421.一种半导体装置，其特征在于，包含：
一第一修饰单元块，具有一第一修饰支座区域；
一第二单元块，...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢麒友，庄惠中，田丽钧，苏品岱，柯宜欣，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71