AlGaInPAs系的半导体激光元件及其制造方法技术

本发明专利技术可实现抑制电子的载流子溢出、且即便在高温环境下也稳定地进行驱动的AlGaInPAs系的半导体激光元件。所述AlGaInPAs系的半导体激光元件的特征在于，至少具有：基板；n型包覆层；n型引导层；活性层；在掺杂剂中包含Mg并由AlGaInP构成的p型引导层；在掺杂剂中包含Mg并由AlInP构成的p型包覆层；以及由GaAs构成的p型盖层，在从p型引导层至p型包覆层之间，具有抑制从n型包覆层朝向活性层移动的电子流入至p型引导层或者p型包覆层的Mg的原子浓度的峰值。

The semiconductor laser element of algainpas system and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
AlGaInPAs系的半导体激光元件及其制造方法
本专利技术涉及AlGaInPAs系的半导体激光元件及其制造方法。
技术介绍
半导体激光器用于光盘等的光源。例如，专利文献1中公开了在半导体激光元件的p型盖层中添加有C、在p型包覆层中添加有Mg、Zn、Be的激光元件。另外，例如，专利文献2中公开了在半导体激光元件的p型包覆层中添加有Mg、在p型接触层中添加有C的激光元件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平10-135567号公报(1998年5月22日公开)专利文献2：日本特开2005-093726号公报(2005年4月7日公开)
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题然而，在上述那样的半导体激光元件中，在高温环境下的动作中电流的损失大，伴随着激光的振荡阈值的上升而可靠性降低。本专利技术的一个方式可实现在保持维持较低的振荡阈值的状态下，具有高温环境下的优异的动作特性的AlGaInPAs系的半导体激光元件。解决问题的方案本专利技术的一个方式所涉及的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种AlGaInPAs系的半导体激光元件，其特征在于，至少具有：/n基板；/nn型包覆层；/nn型引导层；/n活性层；/n在掺杂剂中包含Mg并由AlGaInP构成的p型引导层；/n在掺杂剂中包含Mg并由AlInP构成的p型包覆层；以及/n由GaAs构成的p型盖层，/n在从所述p型引导层至所述p型包覆层之间，具有抑制从所述n型包覆层朝向所述活性层移动的电子流入至所述p型引导层或者所述p型包覆层的所述Mg的原子浓度的峰值。/n

【技术特征摘要】
20181115 US 62/7678091.一种AlGaInPAs系的半导体激光元件，其特征在于，至少具有：
基板；
n型包覆层；
n型引导层；
活性层；
在掺杂剂中包含Mg并由AlGaInP构成的p型引导层；
在掺杂剂中包含Mg并由AlInP构成的p型包覆层；以及
由GaAs构成的p型盖层，
在从所述p型引导层至所述p型包覆层之间，具有抑制从所述n型包覆层朝向所述活性层移动的电子流入至所述p型引导层或者所述p型包覆层的所述Mg的原子浓度的峰值。


2.根据权利要求1所述的AlGaInPAs系的半导体激光元件，其特征在于，
所述p型盖层在掺杂剂中包含C。


3.根据权利要求1所述的AlGaInPAs系的半导体激光元件，其特征在于，
在所述p型引导层与所述p型包覆层的界面具有所述Mg的原子浓度的峰值。


4.根据权利要求3所述的AlGaInP...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田一彦，曾我部隆一，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP