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本发明可实现抑制电子的载流子溢出、且即便在高温环境下也稳定地进行驱动的AlGaInPAs系的半导体激光元件。所述AlGaInPAs系的半导体激光元件的特征在于，至少具有：基板；n型包覆层；n型引导层；活性层；在掺杂剂中包含Mg并由AlGaI...
该专利属于夏普株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过夏普株式会社授权不得商用。

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