【技术实现步骤摘要】
一种芯片堆叠封装结构及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及一种芯片堆叠封装结构及其制备方法。
技术介绍
随着电子产品的微型化发展趋势，封装基板表面可以提供设置半导体芯片或封装结构的面积越来越小，因此，发展出一种半导体封装结构的立体堆栈技术，在该类半导体封装结构的制备过程中，通过于一半导体封装结构上形成有焊球，并将另一半导体封装结构叠置于该焊球上，而成为一层叠封装POP的封装结构，以符合小型表面接合面积与高密度组件设置的要求。如何进一步提高POP封装结构的稳固性，引起了人们的广泛关注。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种芯片堆叠封装结构及其制备方法。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种芯片堆叠封装结构的制备方法，包括以下步骤：1)提供一线路基板，所述线路基板具有相对的第一表面和第二表面，所述线路基板的所述第一表面上分别具有第一接触焊盘、第二接触焊盘，所述线路基板的所述第二表面上具有第三接触焊盘；2)接着在所述线路基板的...
【技术保护点】
1.一种芯片堆叠封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)提供一线路基板，所述线路基板具有相对的第一表面和第二表面，所述线路基板的所述第一表面上分别具有第一接触焊盘、第二接触焊盘，所述线路基板的所述第二表面上具有第三接触焊盘；/n2)接着在所述线路基板的所述第一接触焊盘上形成第一金属导电柱，并在所述线路基板的所述第二接触焊盘上形成第二金属导电柱，在所述第一金属导电柱以及所述第二金属导电柱上分别形成多个穿孔；/n3)接着形成第一焊料结构，所述第一焊料结构完全包裹所述第一金属导电柱，且所述第一焊料结构的部分焊料填充所述第一金属导电柱的所述穿孔，提供一第一封装结构，所...
【技术特征摘要】
1.一种芯片堆叠封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)提供一线路基板，所述线路基板具有相对的第一表面和第二表面，所述线路基板的所述第一表面上分别具有第一接触焊盘、第二接触焊盘，所述线路基板的所述第二表面上具有第三接触焊盘；
2)接着在所述线路基板的所述第一接触焊盘上形成第一金属导电柱，并在所述线路基板的所述第二接触焊盘上形成第二金属导电柱，在所述第一金属导电柱以及所述第二金属导电柱上分别形成多个穿孔；
3)接着形成第一焊料结构，所述第一焊料结构完全包裹所述第一金属导电柱，且所述第一焊料结构的部分焊料填充所述第一金属导电柱的所述穿孔，提供一第一封装结构，所述第一封装结构的下表面具有与所述第一金属导电柱相对应的凹槽，将所述第一封装结构安装在所述第一焊料结构上，使得所述第一金属导电柱嵌入相应的凹槽中，使得所述第一金属导电柱与所述第一封装结构电连接，然后利用第一激光照射所述第一焊料结构，以释放所述第一焊料结构中的应力；
4)接着形成第二焊料结构，所述第二焊料结构完全包裹所述第二金属导电柱，且所述第二焊料结构的部分焊料填充所述第二金属导电柱的所述穿孔，提供一第二封装结构，所述第二封装结构的下表面具有与所述第二金属导电柱相对应的凹槽，将所述第二封装结构安装在所述第二焊料结构上，使得所述第二金属导电柱嵌入相应的凹槽中，使得所述第二金属导电柱与所述第二封装结构电连接，然后利用第二激光照射所述第二焊料结构，以释放所述第二焊料结构中的应力；
5)接着在所述线路基板的第一表面上形成封装外壳...
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