半导体器件、重布线层结构及其制造方法技术

本公开提供一种半导体器件、重布线层结构及重布线层结构的制造方法，涉及半导体技术领域。该重布线层结构包括基底、第一导电层、加强层和第二导电层。第一导电层设于基底，且具有第一焊垫区；加强层设于第一导电层远离基底的表面，且位于第一焊垫区；第二导电层覆盖加强层和第一导电层未被加强层覆盖的区域；加强层为导电材质，且加强层的材料的强度大于第一导电层和第二导电层。本公开的重布线层结构可提升半导体器件的性能。

Semiconductor device, rewiring layer structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、重布线层结构及其制造方法
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件、重布线层结构及重布线层结构的制造方法。
技术介绍
重布线层(RedietributionLayer，RDL)技术，是一种能够对芯片等半导体器件的输入/输出端口重新布局的技术，以使芯片不同的封装形式。在实现电路连接时，通常需要对重布线层进行打线(WireBonding)，即压焊。但是，在压焊过程中，焊球会对重布线层造成冲击，使压焊部位的材料外移，焊球直接撞击在基底上，会造成基底破裂或变形造成短路失效；目前，为了提高重布线层抵抗焊球撞击的能力，需要使重布线层的厚度增大，但这会产生寄生电容效应，影响电路性能。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种半导体器件、重布线层结构及重布线层结构的制造方法，可避免基底因打线而损坏，有利于提升半导体器件的性能。根据本公开的一个方面，提供一种重布线层结构，包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种重布线层结构，其特征在于，包括：/n基底；/n第一导电层，设于所述基底，且具有第一焊垫区；/n加强层，设于所述第一导电层远离所述基底的表面，且位于所述第一焊垫区；/n第二导电层，覆盖所述加强层和所述第一导电层未被所述加强层覆盖的区域；/n所述加强层为导电材质，且所述加强层的材料的强度大于所述第一导电层和所述第二导电层。/n

【技术特征摘要】
1.一种重布线层结构，其特征在于，包括：
基底；
第一导电层，设于所述基底，且具有第一焊垫区；
加强层，设于所述第一导电层远离所述基底的表面，且位于所述第一焊垫区；
第二导电层，覆盖所述加强层和所述第一导电层未被所述加强层覆盖的区域；
所述加强层为导电材质，且所述加强层的材料的强度大于所述第一导电层和所述第二导电层。


2.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述加强层具有至少一个第一通孔，所述第二导电层填充所述第一通孔并与所述第一导电层连接。


3.根据权利要求2所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一通孔的数量为多个，且多个所述第一通孔沿环形轨迹间隔分布。


4.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述加强层的材料包括金属和金属氮化物中至少一种。


5.根据权利要求4所述的重布线层结构，其特征在于，所述加强层的材料包括钨、钛、钽、氮化钛和氮化钽中至少一种。


6.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一导电层、所述加强层和所述第二导电层在所述基底上的正投影的边缘位于所述基底的边缘的内侧。


7.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第二导电层具有第二焊垫区和第二凹陷部，所述第二焊垫区与所述加强层正对设置，所述第二凹陷部位于所述第二焊垫区以外，并向所述第一导电层凹陷。


8.根据权利要求7所述的重布线层结构，其特征在于，所述第二凹陷部的深度为0.05μm-0.5μm。


9.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述重布线层结构还包括：
钝化层，覆盖所述第二导电层，且具有第二通孔，所述第二通孔露出所述第二导电层正对于所述加强层的区域。


10.一种重布线层结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成第一导电层，所述第一导电层具有第一焊垫区；
在所述第一导电层远离所述基底的表面形成加强层，所述加...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，许文豪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34