半导体器件、重布线层结构及其制造方法技术

本公开提供一种半导体器件、重布线层结构及重布线层结构的制造方法，涉及半导体技术领域。该重布线层结构包括基底、第一导电层、加强层和第二导电层。第一导电层设于基底，且具有第一焊垫区；加强层设于第一导电层远离基底的表面，且位于第一焊垫区；第二导电层覆盖加强层和第一导电层未被加强层覆盖的区域；加强层为导电材质，且加强层的材料的强度大于第一导电层和第二导电层。本公开的重布线层结构可提升半导体器件的性能。

Semiconductor device, rewiring layer structure and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体器件、重布线层结构及其制造方法
本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件、重布线层结构及重布线层结构的制造方法。
技术介绍
重布线层(RedietributionLayer，RDL)技术，是一种能够对芯片等半导体器件的输入/输出端口重新布局的技术，以使芯片不同的封装形式。在实现电路连接时，通常需要对重布线层进行打线(WireBonding)，即压焊。但是，在压焊过程中，焊球会对重布线层造成冲击，使压焊部位的材料外移，焊球直接撞击在基底上，会造成基底破裂或变形造成短路失效；目前，为了提高重布线层抵抗焊球撞击的能力，需要使重布线层的厚度增大，但这会产生寄生电容效应，影响电路性能。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种半导体器件、重布线层结构及重布线层结构的制造方法，可避免基底因打线而损坏，有利于提升半导体器件的性能。根据本公开的一个方面，提供一种重布线层结构，包括：基底；第一导电层，设于所述基底，且具有第一焊垫区；加强层，设于所述第一导电层远离所述基底的表面，且位于所述第一焊垫区；第二导电层，覆盖所述加强层和所述第一导电层未被所述加强层覆盖的区域；所述加强层为导电材质，且所述加强层的材料的强度大于所述第一导电层和所述第二导电层。在本公开的一种示例性实施例中，所述加强层具有至少一个第一通孔，所述第二导电层填充所述第一通孔并与所述第一导电层连接。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一通孔的数量为多个，且多个所述第一通孔沿环形轨迹间隔分布。在本公开的一种示例性实施例中，所述加强层的材料包括金属和金属氮化物中至少一种。在本公开的一种示例性实施例中，所述加强层的材料包括钨、钛、钽、氮化钛和氮化钽中至少一种。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一导电层、所述加强层和所述第二导电层在所述基底上的正投影的边缘位于所述基底的边缘的内侧。在本公开的一种示例性实施例中，所述第二导电层具有第二焊垫区和第二凹陷部，所述第二焊垫区与所述加强层正对设置，所述第二凹陷部位于所述第二焊垫区以外，并向所述第一导电层凹陷。在本公开的一种示例性实施例中，所述第二凹陷部的深度为0.05μm-0.5μm。在本公开的一种示例性实施例中，所述重布线层结构还包括：钝化层，覆盖所述第二导电层，且具有第二通孔，所述第二通孔露出所述第二导电层正对于所述加强层的区域。根据本公开的一个方面，提供一种重布线层结构的制造方法，包括：提供一基底；在所述基底上形成第一导电层，所述第一导电层具有第一焊垫区；在所述第一导电层远离所述基底的表面形成加强层，所述加强层位于所述第一焊垫区；形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述加强层和所述第一导电层未被所述加强层覆盖的区域；所述加强层为导电材质，且所述加强层的材料的强度大于所述第一导电层和所述第二导电层。在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一导电层远离所述基底的表面形成加强层，所述加强层设于所述第一导电层的第一焊垫区，包括：在所述第一导电层远离所述基底的表面形成加强材料层；去除所述加强材料层位于所述第一焊垫区以外的材料，并在所述被所述加强材料层露出的第一导电层上形成第一凹陷部；所述第二导电层覆盖所述加强层和所述第一导电层未被所述加强层覆盖的区域，且所述第二导电层在所述第一凹陷部的位置凹入所述第一凹陷部，以形成第二凹陷部。在本公开的一种示例性实施例中，所述加强层具有至少一个第一通孔，所述第二导电层填充所述第一通孔并与所述第一导电层连接。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一通孔的数量为多个，且多个所述第一通孔沿环形轨迹间隔分布。在本公开的一种示例性实施例中，所述加强层的材料包括金属和金属氮化物中至少一种。在本公开的一种示例性实施例中，所述加强层的材料包括钨、钛、钽、氮化钛和氮化钽中至少一种。在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：去除所述第一导电层、所述加强层和所述第二导电层的边缘的材料，以使所述第一导电层、所述加强层和所述第二导电层在所述基底上的正投影的边缘位于所述基底的边缘的内侧。在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：形成覆盖所述第二导电层的钝化层，所述钝化层且具有第二通孔，所述第二通孔露出所述第二导电层正对于所述加强层的区域。根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件，包括上述任意一项所述的重布线层结构。本公开的半导体器件、重布线层结构及重布线层结构的制造方法，由于在第一导电层和第二导电层之间具有加强层，且加强层的强度大于第一导电层和第二导电层，加强层可对焊球的撞击进行缓冲，从而可提高重布线层抵抗焊球冲击的能力，避免撞击造成基底损坏而发生电路短路。同时，由于加强层的存在，使得第一导电层和第二导电层的厚度可减薄，有利于在保证抗撞击性能的前提下，减小重布线层的厚度，从而降低寄生电容效应，从而提升半导体器件的性能。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为相关技术中重布线层结构在打线时的示意图。图2为本公开实施方式重布线层结构的示意图。图3为本公开实施方式重布线层结构在打线时的示意图。图4为本公开实施方式重布线层结构的加强层的俯视图。图5为本公开实施方式重布线层结构的焊接部和导线部的示意图。图6为本公开实施方式重布线层结构的制造方法的流程图。图7为图6中制造方法的步骤S130的流程图。图8为完成图6中步骤S120后的结构示意图。图9为完成图7中步骤S1310后的结构示意图。图10为完成图7中步骤S1320后的结构示意图。图11为完成图6中步骤S140后的结构示意图。图12为完成图6中步骤S150后的结构示意图。图1中：100、基底；200、导电层；300、焊球。图2-图12中：1、基底；101、电子器件；102、空气间隙；2、第一导电层；21、第一凹陷部；3、加强层；31、第一通孔；32、缓冲部；4、第二导电层；41、第二凹陷部；5、钝化层；51、第二通孔；6、焊球；1a、焊垫部；2a、导线部。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种重布线层结构，其特征在于，包括：/n基底；/n第一导电层，设于所述基底，且具有第一焊垫区；/n加强层，设于所述第一导电层远离所述基底的表面，且位于所述第一焊垫区；/n第二导电层，覆盖所述加强层和所述第一导电层未被所述加强层覆盖的区域；/n所述加强层为导电材质，且所述加强层的材料的强度大于所述第一导电层和所述第二导电层。/n

【技术特征摘要】
1.一种重布线层结构，其特征在于，包括：
基底；
第一导电层，设于所述基底，且具有第一焊垫区；
加强层，设于所述第一导电层远离所述基底的表面，且位于所述第一焊垫区；
第二导电层，覆盖所述加强层和所述第一导电层未被所述加强层覆盖的区域；
所述加强层为导电材质，且所述加强层的材料的强度大于所述第一导电层和所述第二导电层。


2.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述加强层具有至少一个第一通孔，所述第二导电层填充所述第一通孔并与所述第一导电层连接。


3.根据权利要求2所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一通孔的数量为多个，且多个所述第一通孔沿环形轨迹间隔分布。


4.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述加强层的材料包括金属和金属氮化物中至少一种。


5.根据权利要求4所述的重布线层结构，其特征在于，所述加强层的材料包括钨、钛、钽、氮化钛和氮化钽中至少一种。


6.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第一导电层、所述加强层和所述第二导电层在所述基底上的正投影的边缘位于所述基底的边缘的内侧。


7.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述第二导电层具有第二焊垫区和第二凹陷部，所述第二焊垫区与所述加强层正对设置，所述第二凹陷部位于所述第二焊垫区以外，并向所述第一导电层凹陷。


8.根据权利要求7所述的重布线层结构，其特征在于，所述第二凹陷部的深度为0.05μm-0.5μm。


9.根据权利要求1所述的重布线层结构，其特征在于，所述重布线层结构还包括：
钝化层，覆盖所述第二导电层，且具有第二通孔，所述第二通孔露出所述第二导电层正对于所述加强层的区域。


10.一种重布线层结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成第一导电层，所述第一导电层具有第一焊垫区；
在所述第一导电层远离所述基底的表面形成加强层，所述加...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉桓，许文豪，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34