多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法技术

本发明专利技术公开了多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法，其中，多晶硅清洗机包括：本体和惰性气体喷吹装置，本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；惰性气体喷吹装置包括输气管道和多个风刀喷口，输气管道伸入本体内并延伸至酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽上方；多个风刀喷口设在输气管道上并沿输气管道的走向间隔分布，且多个风刀喷口分别独立地朝向酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域。该多晶硅清洗机结构简单、安装方便、投资小、见效快，能有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清洗质量和清洗效果。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法
本专利技术属于太阳能领域，具体而言，涉及多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法。
技术介绍
现有多晶硅清洗的工艺中，主要是将受到表面沾污的多晶硅块料浸泡在硝酸和氢氟酸的混合溶液中，通过酸与多晶硅表面发生的化学反应从而使多晶硅表面沾污杂质脱离多晶硅表面，以此提高多晶硅表面纯度，为后期铸锭或者单晶工艺提供优质原材料。多晶硅自动清洗设备是近年来在太阳能领域广泛使用的一种新技术，目前，现有的工艺技术主要从设备主体的密封方面进行改进，提高设备自身的密封性能，但是并不能防止空气的进入，无法解决物料从酸槽到快排纯水槽移动过程中产生的氧化现象，因此也就无法确保多晶硅的清洗质量和清洗效果，也为后期的分选包装及后续工序的使用造成了极大地影响。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法。该多晶硅清洗机不仅结构简单、安装方便、投资小、见效快，而且能有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅清洗机，其特征在于，包括：/n本体，所述本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；/n惰性气体喷吹装置，所述惰性气体喷吹装置包括：/n输气管道，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽上方；/n多个风刀喷口，多个所述风刀喷口设在所述输气管道上并沿所述输气管道的走向间隔分布，且多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅清洗机，其特征在于，包括：
本体，所述本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；
惰性气体喷吹装置，所述惰性气体喷吹装置包括：
输气管道，所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽上方；
多个风刀喷口，多个所述风刀喷口设在所述输气管道上并沿所述输气管道的走向间隔分布，且多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽和所述第一快速冲洗槽区域。


2.根据权利要求1所述的多晶硅清洗机，其特征在于，
所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽和所述第二快速冲洗槽区域；或者，
所述输气管道伸入所述本体内并延伸至所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽上方，多个所述风刀喷口分别独立地朝向所述酸腐蚀槽、所述第一快速冲洗槽、所述第二快速冲洗槽和所述纯水过渡槽区域。


3.根据权利要求1或2所述的多晶硅清洗机，其特征在于，相邻两个所述风刀喷口的水平间距为60～120mm；
任选地，多个所述风刀喷口沿所述输气管道的走向均匀分布。


4.根据权利要求3所述的多晶硅清洗机，其特征在于，所述风刀喷口为扇形风刀喷口；
任选地，所述风刀喷口的喷吹方向与竖直方向的夹角不大于60度，优选不大于45度。


5.根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辉，曲宏波，刘应全，张潼，蔡爱梅，张征，张邦洁，
申请(专利权)人：洛阳中硅高科技有限公司，中国恩菲工程技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41