电路板制造方法技术

技术编号:24132178 阅读:30 留言:0更新日期:2020-05-13 06:44
电路板制造方法,包含以下操作:提供基板,此基板包含底层及树脂层,树脂层位于该底层上,且树脂层包含第一面及相对于第一面的第二面,第一面与底层接触;形成贯穿树脂层的多个孔洞;沉积第一金属层于孔洞中,第一金属层接触底层,并填充各孔洞的一部分;沉积第二金属层于第一金属层上,第二金属层位于孔洞中;形成图案化金属层于第二金属层上,其中图案化金属层自各孔洞中延伸至第二面之上;分离底层与树脂层;以及自第一面移除部分的树脂层,以使第一金属层突出于树脂层。本发明专利技术提供的电路板制造方法可以制造凸块间距较小的电路板,因此可以大幅增加组件的密度。

【技术实现步骤摘要】
电路板制造方法
本专利技术是关于制作电路板的方法。
技术介绍
电路板的微细凸块间距(finebumppitch)是目前应用研发的重点之一。但是,由于曝光对位精度无法下缩,使用垫上焊锡(solderplatedonpad,SPOP)方法形成金属凸块于电路板或基板上已面临技术瓶颈。因此,需要一种新颖的制作方法,以大幅缩小微细凸块间距。
技术实现思路
本专利技术的方法,是提供电路板制造方法,包含以下操作:提供基板,此基板包含底层及树脂层,树脂层位于该底层上,且树脂层包含第一面及相对于第一面的第二面,第一面与底层接触;形成贯穿树脂层的多个孔洞;沉积第一金属层于孔洞中,第一金属层接触底层,并填充各孔洞的一部分;沉积第二金属层于第一金属层上,第二金属层位于孔洞中;形成图案化金属层于第二金属层上,其中图案化金属层自各孔洞中延伸至第二面之上;分离底层与树脂层;以及自第一面移除部分的树脂层,以使第一金属层突出于树脂层。根据本专利技术一个或多个实施方式,底层包含核心层、第一铜层、第二铜层及离型层,其中第一铜层位于核心层上,离型层位于第一铜层上,第二铜层位于离型层上,树脂层位于第二铜层上。根据本专利技术一个或多个实施方式,在分离基板与树脂层的操作中,包含通过离型层将第一铜层与第二铜层分离。根据本专利技术一个或多个实施方式,在通过离型层将第一铜层及第二铜层分离之后,蚀刻第二铜层。根据本专利技术一个或多个实施方式,各孔洞靠近该第一面的孔径小于各孔洞靠近该第二面的孔径。根据本专利技术一个或多个实施方式,形成孔洞是使用激光钻孔或曝光显影。根据本专利技术一个或多个实施方式,在蚀刻树脂层的操作中,包含形成空隙于树脂层与第一金属层之间。根据本专利技术一个或多个实施方式,在蚀刻树脂层之后,更包含将第一金属层回焊。本专利技术的方法,是提供一种电路板,包含树脂层、第一金属层、第二金属层及图案化金属层。树脂层包含第一面及第二面,其中树脂层包含多个孔洞,所述孔洞贯穿树脂层。第一金属层配置于各孔洞中,其中第一金属层突出于树脂层的第一面,且第一金属层与树脂层之间具有空隙。第二金属层配置于各孔洞中,其中第一金属层位于第二金属层的一侧。图案化金属层配置于各孔洞中,且位于第二金属层相对于该侧的另一侧,图案化金属层覆盖树脂层的第二面的一部分。根据本专利技术一个或多个实施方式,第一金属层的材料不同于第二金属层的材料。根据本专利技术一个或多个实施方式,各孔洞靠近第一面的孔径小于各孔洞靠近第二面的孔径。本专利技术提供的电路板制造方法可以制造凸块间距较小的电路板,因此可以大幅增加组件的密度。附图说明当结合随附图式阅读时,自以下详细描述将很好地理解本专利技术。应强调,根据工业中的标准实务,各特征并非按比例绘制且仅用于说明的目的。事实上,为了论述清晰的目的,可任意增加或减小特征的尺寸。图1-14示出根据本专利技术各种实施方式的制造电路板的方法在不同制程阶段的剖面示意图。具体实施方式以下专利技术提供许多不同实施例,或示例,以建置所提供的目标物的不同特征。以下叙述的成份和排列方式的特定示例是为了简化本公开。这些当然仅是做为示例,其目的不在构成限制。举例而言,组件的尺寸不被专利技术的范围或数值所限制,但可以取决于组件的制程条件与/或所需的特性。此外,第一特征形成在第二特征之上或上方的描述包含第一特征和第二特征有直接接触的实施例,也包含有其他特征形成在第一特征和第二特征之间,以致第一特征和第二特征没有直接接触的实施例。为了简单与清晰起见,不同特征可以任意地示出成不同大小。再者,空间相对性用语,例如「下方(beneath)」、「在…之下(below)」、「低于(lower)」、「在…之上(above)」、「高于(upper)」等,是为了易于描述图式中示出所示出的元素或特征和其他元素或特征的关系。空间相对性用语除了图式中所描绘的方向外,还包含组件在使用或操作时的不同方向。仪器可以其他方式定向(旋转90度或在其他方向),而本文所用的空间相对性描述也可以如此解读。本专利技术提供一种电路板制造方法,可以制作凸块间距较窄的电路板,此电路板可以适用于更先进的封装制程。图1-14示出本专利技术各种实施方式的制造电路板的方法在不同制程阶段的剖面示意图。首先,如图1所示,提供基板110。基板110包含树脂层120及底层130。在一些实施例中,树脂层120位于底层130之上。树脂层120包含第一面121及第二面122,其中第一面121与底层130接触。第一面121与第二面122是相对的。在某些实施例中,底层130包含核心层131、第一铜层132、第二铜层134及离型层133。第一铜层132位于核心层131上,离型层133位于第一铜层132上,第二铜层134位于离型层133上,树脂层120位于第二铜层134上。换句话说,离型层133位于第一铜层132与第二铜层134之间。第二铜层134与树脂层120的第一面121接触。在一些实施例中,可以使用激光钻孔形成孔洞123。在其他实施例中,树脂层120的的材料为感光介电材料,因此可以使用曝光显影的方式形成孔洞123。之后,如图2所示,形成多个孔洞123于树脂层120中,其中孔洞123贯穿树脂层120。此外,在某些实施例中,孔洞123为截头圆锥状。在孔洞123中,靠近第一面121侧的孔径R1小于靠近第二面122侧的孔径R2。在一些实施例中,孔洞123暴露出部分的第二铜层134。接着,如图3所示,沉积第一金属层140于孔洞123中,其中第一金属层140接触底层130,并填充孔洞123的一部分。换句话说,第一金属层140并未填满整个孔洞123。由于孔洞123暴露出部分的第二铜层134,因此第一金属层140与暴露出的第二铜层134接触。在一些实施例中,第一金属层140是使用不同于铜的金属制成。更详细说明,第一金属层140使用的金属与铜之间具有蚀刻选择性。在一些实施例中,第一金属层140是使用锡。在另外一些实施例中,可以使用电镀沉积第一金属层140。之后,如图4所示,沉积第二金属层150于第一金属层140上,其中第二金属层150位于孔洞123中。在一些实施例中,第二金属层150可以使用能够防止第一金属层140与铜交互作用的材料制成,其中第二金属层150可以为金属或导电材料。在另外一些实施例中,可以使用电镀沉积第二金属层150。在某些实施例中,第一金属层140及第二金属层150未填满孔洞123。在一些实施例中,第二金属层150的厚度D2小于第一金属层140的厚度D1。然后,形成图案化金属层于第二金属层150上。图5-9示出根据本专利技术一些实施例的形成上述图案化金属层的剖面示意图。请参照图5,形成晶种层160于树脂层120及第二金属层150上。在一些实施例中,晶种层160是共形沉积于树脂层120及第二金属层150上。晶种层160覆盖树脂层120及第二金属层150的表面。在某些实施例中,晶种层160为铜。在图6中,形成图案化光刻胶165于晶种层160上。更进一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路板制造方法,其特征在于,包含以下操作:/n提供基板,该基板包含底层及树脂层,该树脂层位于该底层上,该树脂层包含第一面及相对于该第一面的第二面,该第一面与该底层接触;/n形成贯穿该树脂层的多个孔洞;/n沉积第一金属层于所述孔洞中,该第一金属层接触该底层,并填充各该孔洞的一部分;/n沉积第二金属层于该第一金属层上,该第二金属层位于所述孔洞中;/n形成图案化金属层于该第二金属层上,其中该图案化金属层自各该孔洞中延伸至该第二面之上;/n分离该底层与该树脂层;以及/n自该第一面移除部分的该树脂层,以使该第一金属层突出于该树脂层。/n

【技术特征摘要】
1.一种电路板制造方法,其特征在于,包含以下操作:
提供基板,该基板包含底层及树脂层,该树脂层位于该底层上,该树脂层包含第一面及相对于该第一面的第二面,该第一面与该底层接触;
形成贯穿该树脂层的多个孔洞;
沉积第一金属层于所述孔洞中,该第一金属层接触该底层,并填充各该孔洞的一部分;
沉积第二金属层于该第一金属层上,该第二金属层位于所述孔洞中;
形成图案化金属层于该第二金属层上,其中该图案化金属层自各该孔洞中延伸至该第二面之上;
分离该底层与该树脂层;以及
自该第一面移除部分的该树脂层,以使该第一金属层突出于该树脂层。


2.如权利要求1所述的电路板制造方法,其特征在于,其中该底层包含核心层、第一铜层、第二铜层及离型层,其中该第一铜层位于该核心层上,该离型层位于该第一铜层上,该第二铜层位于该离型层上,该树脂层位于该第二铜层上。


3.如权利要求2所述的电路板制造方法,其特征在于,在分离该基板与该树脂层的操作中,包含通过该离型层将该第一铜层与该第二铜层分离。


4.如权利要求3所述的电路板制造方法,其特征在于,其中在通过该离型层将该第一铜层及该第二铜层分离之后,蚀刻该第二铜层。


5.如权利要求1所述的电路板制造方法,其特征在于,...

【专利技术属性】
技术研发人员:扈欣祺
申请(专利权)人:欣兴电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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