半导体激光元件制造技术

半导体激光元件(10)：具备基板(101)；以及激光阵列部(11)，具有排列配置的多个发光部(141)，并且层叠在基板(101)的上方，基板(101)与激光阵列部(11)的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面(140f以及140r)，在多个发光部(141)之中的相邻的两个发光部(141)之间，在一对谐振器端面(140f以及140r)的至少一方形成有从激光阵列部(11)延伸到基板(101)的中途的槽部(133)。

Semiconductor laser element

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光元件
本公开涉及，半导体激光元件，尤其涉及具有多个发光部的阵列状的半导体激光元件。而且，本申请是，平成28年度，国立研究开发法人新能源产业技术综合开发机构“高亮度、高效率下一代激光技术开发/面向更先进的一代加的新光源、要素技术开发/高效率加工用GaN系高输出、高光束质量二极管激光的开发”委托研究的，受到产业技术力强化法第19条的适用的专利申请。
技术介绍
以往，作为瓦特级的高输出激光光源，将具有多个发光部的激光阵列部形成在单一基板上的一体的半导体激光元件为人所知。在这样的半导体激光元件中，在发光部间设置分离槽，或者，由热导率低的材料填埋分离槽，从而试图发光部间的热干涉的抑制。例如，专利文献1公开，填埋了绝缘体的分离部被形成于发光部间的半导体激光元件。以下，对于专利文献1公开的半导体激光元件，利用附图进行简单的说明。图11是示出专利文献1公开的半导体激光元件1000的结构的截面图。如图11示出，专利文献1公开的半导体激光元件1000具备，GaAs基板1001、缓冲层1002、包层1003、活性层1004、包层1005、电流阻挡层1006、帽层1007、接触层1008、以及电极1009及1010。在半导体激光元件1000中，设置有从接触层1008延伸到电流阻挡层1006的中途的槽。相邻的发光部间，由填埋在槽的绝缘体1011绝缘分离。如此，在专利文献1公开的半导体激光元件1000中，使发光部间绝缘分离，从而试图减少各个发光部中流动的电流的串扰。(现有技术文献)>(专利文献)专利文献1：日本特开平5-235480号公报然而，在专利文献1公开的半导体激光元件1000中，多个发光部的排列方向(即，与谐振方向垂直的方向)的尺寸大。因此，半导体激光元件1000，与具有单一的发光部的半导体激光元件相比，基板中产生的变形的影响大。据此，半导体激光元件1000的翘曲大。半导体激光元件1000的翘曲大，因此，产生多个发光部的高度的错开。起因于该高度的错开，在使来自多个发光部的激光聚光时，多个激光的耦合效率降低。也就是说，难以使来自多个发光部的光聚光于一点。
技术实现思路
为了解决这样的问题，本公开的目的在于，减少具有多个发光部的半导体激光元件的翘曲。为了解决所述问题，本公开涉及的半导体激光元件的一个形态，具备：基板；以及激光阵列部，具有排列配置的多个发光部，并且层叠在所述基板的上方，所述基板与所述激光阵列部的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面，在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间，在所述一对谐振器端面的至少一方形成有从所述激光阵列部延伸到所述基板的中途的槽部。如此，形成有从激光阵列部延伸到基板的中途的槽部，因此，变形由槽部分断。因此，能够减少在基板产生的变形。因此，能够减少基板的多个发光部的排列方向的翘曲。据此，在从多个发光部射出的激光由透镜等聚光时，能够抑制因基板的翘曲而耦合效率降低。并且，在本公开涉及的半导体激光元件的一个形态中也可以是，所述激光阵列部，在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间具备，在所述一对谐振器端面之间连续的分断槽，所述槽部，被形成在所述分断槽的底面。具备这样的分断槽，因此，能够抑制多个发光部间的热干涉。并且，将槽部形成在分断槽的底面，从而与形成在分断槽以外的位置的情况相比，能够减少形成槽部时需要的蚀刻量。并且，在本公开涉及的半导体激光元件的一个形态中也可以是，所述槽部的侧壁，比所述分断槽的侧壁更被配置在所述分断槽的内侧。据此，对分断槽的底面的宽度方向的中央部分进行蚀刻，从而能够容易形成槽部。并且，在本公开涉及的半导体激光元件的一个形态中也可以是，所述激光阵列部，从所述基板侧依次具备，第一导电型的第一半导体层、活性层、以及第二导电型的第二半导体层，所述第二半导体层具备，成为电流通路的多个脊条纹部、被配置在所述脊条纹部的两侧且不成为电流通路的支持部、以及使所述脊条纹部与所述支持部分离的分离槽，所述分断槽被形成在所述支持部。如此，第二半导体层具备支持部，因此，在对半导体激光元件进行结向下安装时，能够减少因负荷集中于脊条纹部而产生的应力。并且，在本公开涉及的半导体激光元件的一个形态中也可以是，所述槽部，从所述激光阵列部的上表面延伸到所述基板的中途。据此，能够不形成分断槽而从激光阵列部的上表面直接形成槽部，因此，能够简化半导体激光元件的制造工序。并且，在本公开涉及的半导体激光元件的一个形态中也可以是，所述激光阵列部，从所述基板侧依次具备，第一导电型的第一半导体层、活性层、以及第二导电型的第二半导体层，所述第二半导体层具备，成为电流通路的多个脊条纹部、被形成在所述脊条纹部的两侧且不成为电流通路的支持部、以及使所述脊条纹部与所述支持部分离的分离槽，所述槽部被形成在所述支持部。如此，第二半导体层具备支持部，因此，在对半导体激光元件进行结向下安装时，能够减少因负荷集中于脊条纹部而产生的应力。并且，本公开涉及的半导体激光元件的一个形态，具备：基板；以及激光阵列部，具有排列配置的多个发光部，并且层叠在所述基板的上方，所述基板与所述激光阵列部的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面，在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间，在所述一对谐振器端面的至少一方形成有从所述基板的下表面延伸到所述基板的中途的槽部。如此，形成有从基板的下表面延伸到基板的中途的槽部，因此，变形由槽部分断。因此，能够减少在基板产生的变形。因此，能够减少基板的多个发光部的排列方向的翘曲。据此，在从多个发光部射出的激光由透镜等聚光时，能够抑制因基板的翘曲而耦合效率降低。并且，在本公开涉及的半导体激光元件的一个形态中也可以是，所述激光阵列部，在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间具备，在所述一对谐振器端面之间连续的分断槽，所述槽部，被形成在所述基板的下表面的与所述分断槽相对的位置。如此，将槽部形成在与分断槽相对的位置、即离脊条纹部比较远的位置，从而能够减少随着槽部的形成，而在脊条纹部以及其附近产生裂缝。并且，在本公开涉及的半导体激光元件的一个形态中也可以是，所述激光阵列部，从所述基板侧依次具备，第一导电型的第一半导体层、活性层、以及第二导电型的第二半导体层，所述第二半导体层具备，成为电流通路的多个脊条纹部、被形成在所述脊条纹部的两侧且不成为电流通路的支持部、以及使所述脊条纹部与所述支持部分离的分离槽，所述分断槽被形成在所述支持部。如此，第二半导体层具备支持部，因此，在对半导体激光元件进行结向下安装时，能够减少因负荷集中于脊条纹部而产生的应力。并且，在本公开涉及的半导体激光元件的一个形态中也可以是，所述分断槽，从所述激光阵列部的上表面延伸到所述第一半导体层的中途。在此情况下，能够将会成为最高温的活性层，按每脊条纹部分离，因此，能够更抑制多个脊条纹部间的热干涉。据此，能够促进从各个脊条纹部，向基板方向的热的扩散，因此，能够实现半导体激光元件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光元件，/n所述半导体激光元件具备：/n基板；以及/n激光阵列部，具有排列配置的多个发光部，并且层叠在所述基板的上方，/n所述基板与所述激光阵列部的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面，/n在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间，在所述一对谐振器端面的至少一方形成有从所述激光阵列部延伸到所述基板的中途的槽部。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170920 JP 2017-1800021.一种半导体激光元件，
所述半导体激光元件具备：
基板；以及
激光阵列部，具有排列配置的多个发光部，并且层叠在所述基板的上方，
所述基板与所述激光阵列部的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面，
在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间，在所述一对谐振器端面的至少一方形成有从所述激光阵列部延伸到所述基板的中途的槽部。


2.如权利要求1所述的半导体激光元件，
所述激光阵列部，在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间具备，在所述一对谐振器端面之间连续的分断槽，
所述槽部，被形成在所述分断槽的底面。


3.如权利要求2所述的半导体激光元件，
所述槽部的侧壁，比所述分断槽的侧壁更被配置在所述分断槽的内侧。


4.如权利要求2或3所述的半导体激光元件，
所述激光阵列部，从所述基板侧依次具备，第一导电型的第一半导体层、活性层、以及第二导电型的第二半导体层，
所述第二半导体层具备，成为电流通路的多个脊条纹部、被配置在所述脊条纹部的两侧且不成为电流通路的支持部、以及使所述脊条纹部与所述支持部分离的分离槽，
所述分断槽被形成在所述支持部。


5.如权利要求1所述的半导体激光元件，
所述槽部，从所述激光阵列部的上表面延伸到所述基板的中途。


6.如权利要求5所述的半导体激光元件，
所述激光阵列部，从所述基板侧依次具备，第一导电型的第一半导体层、活性层、以及第二导电型的第二半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：持田笃范，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP