【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光元件
本公开涉及，半导体激光元件，尤其涉及具有多个发光部的阵列状的半导体激光元件。而且，本申请是，平成28年度，国立研究开发法人新能源产业技术综合开发机构“高亮度、高效率下一代激光技术开发/面向更先进的一代加的新光源、要素技术开发/高效率加工用GaN系高输出、高光束质量二极管激光的开发”委托研究的，受到产业技术力强化法第19条的适用的专利申请。
技术介绍
以往，作为瓦特级的高输出激光光源，将具有多个发光部的激光阵列部形成在单一基板上的一体的半导体激光元件为人所知。在这样的半导体激光元件中，在发光部间设置分离槽，或者，由热导率低的材料填埋分离槽，从而试图发光部间的热干涉的抑制。例如，专利文献1公开，填埋了绝缘体的分离部被形成于发光部间的半导体激光元件。以下，对于专利文献1公开的半导体激光元件，利用附图进行简单的说明。图11是示出专利文献1公开的半导体激光元件1000的结构的截面图。如图11示出，专利文献1公开的半导体激光元件1000具备，GaAs基板1001、缓冲层1002、包层1003、活性...
【技术保护点】
1.一种半导体激光元件，/n所述半导体激光元件具备：/n基板；以及/n激光阵列部，具有排列配置的多个发光部，并且层叠在所述基板的上方，/n所述基板与所述激光阵列部的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面，/n在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间，在所述一对谐振器端面的至少一方形成有从所述激光阵列部延伸到所述基板的中途的槽部。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170920 JP 2017-1800021.一种半导体激光元件，
所述半导体激光元件具备：
基板；以及
激光阵列部，具有排列配置的多个发光部，并且层叠在所述基板的上方，
所述基板与所述激光阵列部的层叠体，在相对的面具备一对谐振器端面，
在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间，在所述一对谐振器端面的至少一方形成有从所述激光阵列部延伸到所述基板的中途的槽部。
2.如权利要求1所述的半导体激光元件，
所述激光阵列部，在所述多个发光部之中的相邻的两个发光部之间具备，在所述一对谐振器端面之间连续的分断槽，
所述槽部，被形成在所述分断槽的底面。
3.如权利要求2所述的半导体激光元件，
所述槽部的侧壁，比所述分断槽的侧壁更被配置在所述分断槽的内侧。
4.如权利要求2或3所述的半导体激光元件，
所述激光阵列部，从所述基板侧依次具备，第一导电型的第一半导体层、活性层、以及第二导电型的第二半导体层，
所述第二半导体层具备，成为电流通路的多个脊条纹部、被配置在所述脊条纹部的两侧且不成为电流通路的支持部、以及使所述脊条纹部与所述支持部分离的分离槽，
所述分断槽被形成在所述支持部。
5.如权利要求1所述的半导体激光元件，
所述槽部，从所述激光阵列部的上表面延伸到所述基板的中途。
6.如权利要求5所述的半导体激光元件，
所述激光阵列部，从所述基板侧依次具备，第一导电型的第一半导体层、活性层、以及第二导电型的第二半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：持田笃范，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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