一种具有双面电流限制结构的半导体激光器及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有双面电流限制结构的半导体激光器及制备方法，属于半导体激光器技术领域，激光器从下至上设有下电极层、衬底、缓冲层、下包层、有源层、上包层、接触层，衬底与缓冲层之间水平方向间隔设有掩盖层；在衬底上逐渐生长掩盖层、外延层；接触层上腐蚀出脊型结构，脊型结构包括凸部和凹部，凹部下陷至上包层中；接触层的脊型结构上方生长绝缘层，凸部顶端的绝缘层设有空断间隔，绝缘层上方蒸镀上电极层，在衬底下表面蒸镀下电极层。相比传统的单面电流限制结构，利用本发明专利技术的制备方法制备的双面电流限制结构激光器，仅需要一次外延及一次外延层刻蚀工艺，不会增加激光器制作步骤和成本，不会影响激光器的产出率。

A semiconductor laser with double-sided current limiting structure and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种具有双面电流限制结构的半导体激光器及制备方法
本专利技术涉及一种具有双面电流限制结构的半导体激光器及制备方法，属于半导体激光器

技术介绍
半导体激光器是利用电注入在半导体中实现电子空穴复合发光并形成谐振放大的光器件。形成激光的必要条件之一是达到粒子数反转，因此需要极高的电流密度。这需要对半导体激光器的注入电流限制在一个微小的区域内，可以有效防止因电流扩展、泄露等问题造成的电流损失，获得较低的阈值电流，提高激光器的增益特性。尤其是大功率激光器，一直在追求高效率、高亮度，从而获得低成本的高功率输出及简易的热处理装置。因此，对电流的限制尤为重要。在半导体激光器中，对注入电流的限制方法包括粒子注入、脊型刻蚀、掩埋异质结、氧化绝缘等，每种方法都有其优缺点，根据器件实际情况都有选择。掩埋异质结结构是光通讯边射型激光器中电流限制的常用方法，主要是在电流注入区两侧形成pnp的反型异质结进行电流隔绝，从而实现注入电流的有效限制。中国专利CN106785910A公布了一种掩埋结构激光器及其制作方法。激光器包括衬底、台面结构、掩埋结构和电极接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，从下至上设有下电极层、衬底、缓冲层、下包层、有源层、上包层、接触层，衬底与缓冲层之间水平方向间隔设有掩盖层；/n接触层上设有脊型结构，脊型结构包括凸部和凹部，凹部下陷至上包层中；接触层的脊型结构上方设有绝缘层，凸部顶端的绝缘层设有空断间隔，绝缘层上方设有上电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，从下至上设有下电极层、衬底、缓冲层、下包层、有源层、上包层、接触层，衬底与缓冲层之间水平方向间隔设有掩盖层；
接触层上设有脊型结构，脊型结构包括凸部和凹部，凹部下陷至上包层中；接触层的脊型结构上方设有绝缘层，凸部顶端的绝缘层设有空断间隔，绝缘层上方设有上电极层。


2.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，绝缘层的空断间隔与掩盖层的水平方向间隔位于同一竖直方向上。


3.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，所述掩盖层为SiO2或者Si3N4，掩盖层的厚度为50-100nm，掩盖层的水平方向的间隔宽度为50-200um。


4.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，缓冲层的厚度为1-2um。


5.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，所述缓冲层与衬底的材料相同。


6.根据权利要求1所述的具有双面电流限制结构的半导体激光器，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiO2或Si3N4，厚度为50-200nm。


7.根据权利要求1所述的具有双面电流限...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱振，张新，于军，徐现刚，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37