微型化微波探测装置制造方法及图纸

发明专利技术公开了一微型化微波探测装置，其中所述微型化微波探测装置包括一参考地基板和一辐射源基板，其中所述参考地基板包括一第一基板和被覆盖于所述第一基板的一金属层，其中所述金属层形成一参考地，其中所述辐射源基板包括一第二基板和分别被保持于所述第二基板的相对侧的一第一覆铜层和一第二覆铜层，其中所述第一覆铜层形成一辐射源，所述辐射源具有偏离于其物理中心点的一馈电点，其中所述辐射源基板被设置于所述参考地基板的所述金属层，并在所述金属层和所述第一覆铜层之间形成一辐射缝隙，其中所述辐射源的沿其物理中心点与所述馈电点连线方向的侧面被内凹设置，以使得所述微型化微波探测装置小型化。

Miniaturized microwave detector

【技术实现步骤摘要】
微型化微波探测装置
本专利技术涉及微波探测领域，特别涉及一微型化微波探测装置。
技术介绍
微波探测装置被应用于智能电气设备，是智能电气设备的重要基础，微波探测装置的品质直接影响着智能电气设备的智能化程度和灵敏度。参照图1A和图1B，现有技术的一微波探测装置100P包括一辐射源10P、一参考地20P、一振荡电路单元30P以及一屏蔽罩40P，所述辐射源10P和所述振荡电路单元30P被分别保持于所述参考地20P的两侧，所述辐射源10P的所述馈电点11P被电连接于振荡单路单元30P，所述屏蔽罩40P和所述振荡单路单元30P被设置于所述参考地20P的同一侧。所述微波探测装置100P被安装于电气设备，且所述微波探测装置100P被可通信地连接于电气设备。当微波激励信号自所述辐射源10P的所述馈电点11P被接入所述辐射源10P后，所述微波探测装置100P朝向电气设备的使用空间内辐射探测微波，探测微波被使用空间内的用户反射后形成反射微波，所述微波探测装置100P接收反射微波，并根据探测微波和反射微波的频率或是相位差异获取使用空间内的用户的运动状态。以在后续电气设备根据用户的运动状态及时地调整工作模式和工作状态，以提供用户智能化和人性化的服务。但是，根据现有的所述微波探测装置100P的结构，所述微波探测装置100P的所述参考地20P的各个侧面与所述辐射源10P的各个侧面之间均需预留较长的距离，以预留足够的安装空间供布置所述振荡电路30P和安装所述屏蔽罩40P。这样的结构使得现有的所述微波探测装置100P的体积较大，不利于后续的使用。具体来说，在现有的安装过程中，有的所述微波探测装置100P被安装于电气设备的一侧。但是由于所述微波探测装置100P的体积较大，在所述微波探测装置100P被安装于电气设备后，所述微波探测装置100P暴露于电气设备的外部，通常显得较为突兀，不利于整体美观。尤其是电气设备和所述微波探测装置100P被应用于智能家居领域，会直接影响着用户使用区域的装修效果，不利于保障用户的购买体验。也有的所述微波探测装置100P被安装于电气设备的内部。具体地，在电气设备制造的过程中，预留了安装空间，以供容置所述微波探测装置100P，在所述微波探测装置100P被安装于电气设备后，所述微波探测装置100P以被隐藏于电气设备的内部的方式向使用空间辐射探测微波和接收反射回波。尽管，通过这样的方式解决了电气设备整体美观的视觉问题，但是，由于所述微波探测装置100P的体积较大，造成电气设备的整体体积增大，不仅不利于电气设备小型化发展的趋势，而且，增加了电气设备的制造工艺和制造成本。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一微型化微波探测装置，其中所述微型化微波探测装置体积较小，有利于节省安装空间。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置，其中通过减小所述微型化微波探测装置的一参考地基板和一辐射源基板的尺寸的方式减小所述微型化微波探测装置的尺寸。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置，其中所述参考地基板包括一金属层和一第一基板，其中覆盖于所述第一基板的一第一正面的所述金属层形成一参考地，其中所述辐射源基板包括一第二基板和一第一覆铜层，其中覆盖于所述第二基板的一第二正面的所述第一覆铜层形成一辐射源，其中所述辐射源和所述参考地相间隔地被设置，如此以形成平面结构的所述微型化微波探测装置。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置，其中所述辐射源具有一馈电点，其中以所述辐射源的中心点与所述馈电点的连线方向为所述辐射源的长度，其中所述辐射源的宽度参数a满足λ/8≤a≤λ/2，其中λ为所述微型化微波探测装置产生的探测微波的波长，如此以有利于减小所述辐射源和所述辐射源基板的尺寸。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置，其中所述辐射源的长度参数b满足λ/8≤b≤λ/2，如此以能够保障所述辐射源具有大于等于λ/2的周长，从而有利于在减小所述辐射源的尺寸的同时保障所述微型化微波探测装置的增益。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置，其中所述辐射源的沿长度方向的侧边被弯曲地设置，如被内凹地设置，如此以有利于进一步减小所述辐射源在长度方向的尺寸，同时保障所述辐射源具有大于等于λ/2的周长，从而在减小所述辐射源的尺寸的同时保障所述微型化微波探测装置的辐射增益。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置和其制造方法，其中所述辐射源的沿长度方向的侧边被弯曲地设置，如被内凹地设置，如此以有利于进一步减小所述辐射源在长度方向的尺寸，并有利于在所述辐射源的长度方向降低对所述参考地的尺寸要求而允许以减小所述参考地在所述辐射源的长度方向的尺寸的方式减小所述微型化微波探测装置的尺寸。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置，其中所述辐射源的沿长度方向的侧边被内凹地设置，则所述辐射源的内凹的部分所对应的参考地能够与所述辐射源的该侧边耦合而在所述辐射源的宽度方向降低了对所述参考地的尺寸要求，如此以有利于在所述辐射源的宽度方向减小所述参考地和所述参考地基板的尺寸，如在所述辐射源的宽度方向保持所述辐射源的宽度尺寸与所述参考地的宽度尺寸一致，从而有利于减小所述微型化微波探测装置的尺寸。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置和其制造方法，其中所述辐射源的沿长度方向的侧边被内凹地设置，其中基于对所述辐射源的沿长度方向的该侧边的内凹尺寸的设计，相应所述辐射源的沿长度方向的该侧边的电流密度分布允许被调整，同时所述辐射源的内凹的部分所对应的参考地能够与所述辐射源的该侧边耦合，即所述辐射源与所述参考地之间的耦合能量占比及所述辐射源的电流密度分布和电场分布允许基于对所述辐射源的沿长度方向的该侧边的内凹尺寸的设计被调整，从而有利于在所述辐射源的宽度方向调整所述微型化微波探测装置的电场辐射强度和角度。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置和其制造方法，其中所述辐射源的沿长度方向的侧边被内凹地设置，其中基于对所述辐射源的沿长度方向的该侧边的内凹形状和尺寸的设计，相应所述辐射源的沿长度方向的该侧边的电流密度分布被调整，同时所述辐射源的内凹的部分所对应的参考地能够与所述辐射源的该侧边耦合，即所述辐射源与所述参考地之间的耦合能量占比及所述辐射源的电流密度分布和电场分布允许基于对所述辐射源的沿长度方向的该侧边的内凹形状和尺寸的设计被调整，相应所述微型化微波探测装置的探测波束允许基于对所述辐射源的沿长度方向的该侧边的内凹形状和尺寸的设计被设计而适应于不同的探测区域的面积和形状，从而有利于提高所述微型化微波探测装置的适用性。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置，其中所述参考地基板的宽度与所述辐射源基板的宽度同向且保持一致，以使得所述微型化微波探测装置在所述辐射源的宽度方向的尺寸最小化，从而有利于减小所述微型化微波探测装置的体积。本专利技术的另一个目的在于提供一微型化微波探测装置，其中所述辐射源和所述参考地在长度方向之间存在一预设距离，具体地，在所述辐射源的物理中心本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一微型化微波探测装置，其特征在于，包括：/n一参考地基板，其中所述参考地基板包括一第一基板和被覆盖于所述第一基板的一金属层，其中所述第一基板具有一第一极化面、相对于所述第一极化面的一第二极化面、一第一侧面和相对于所述第一侧面的一第二侧面；和/n一辐射源基板，其中所述辐射源基板包括一第二基板和分别被保持于所述第二基板的相对侧的一第一覆铜层和一第二覆铜层，其中所述辐射源基板的所述第二覆铜层与所述参考地基板的所述金属层以压合板的结构被贴合固定并以金属化过孔的方式电性相连，以使所述参考地基板的所述金属层形成一参考地、使所述辐射源基板的所述第一覆铜层形成一辐射源，以及在所述参考地基板的所述金属层和所述辐射源基板的所述第一覆铜层之间形成一辐射缝隙，其中所述辐射源具有一馈电点，其中所述馈电点偏离于所述辐射源的物理中心点地被设置，其中所述第二基板具有一第三极化面、相对于所述第三极化面的一第四极化面、一第三侧面和相对于所述第三侧面的一第四侧面，其中以所述辐射源的物理中心点与所述馈电点的连线方向定义为所述辐射源和所述辐射源基板的长度方向，所述参考地基板的宽度方向定义为与所述辐射源基板的宽度方向同向，所述第三极化面和所述第四极化面为对应所述第二基板的两宽边的两侧面，所述第三侧面和所述第四侧面为对应所述第二基板的两长边的两侧面，其中所述第三极化面为所述第二基板的在所述辐射源的物理中心点至所述馈电点的连线方向的侧面，其中所述辐射源基板以所述第三极化面、所述第四极化面、所述第三侧面以及所述第四侧面分别对应于所述参考地基板的所述第一极化面、所述第二极化面、所述第一侧面以及所述第二侧面的方式被保持于所述参考地基板的一侧，其中所述辐射源的对应于所述第二基板的所述第三侧面和所述第四侧面的侧面被内凹地设置。/n...

【技术特征摘要】
1.一微型化微波探测装置，其特征在于，包括：
一参考地基板，其中所述参考地基板包括一第一基板和被覆盖于所述第一基板的一金属层，其中所述第一基板具有一第一极化面、相对于所述第一极化面的一第二极化面、一第一侧面和相对于所述第一侧面的一第二侧面；和
一辐射源基板，其中所述辐射源基板包括一第二基板和分别被保持于所述第二基板的相对侧的一第一覆铜层和一第二覆铜层，其中所述辐射源基板的所述第二覆铜层与所述参考地基板的所述金属层以压合板的结构被贴合固定并以金属化过孔的方式电性相连，以使所述参考地基板的所述金属层形成一参考地、使所述辐射源基板的所述第一覆铜层形成一辐射源，以及在所述参考地基板的所述金属层和所述辐射源基板的所述第一覆铜层之间形成一辐射缝隙，其中所述辐射源具有一馈电点，其中所述馈电点偏离于所述辐射源的物理中心点地被设置，其中所述第二基板具有一第三极化面、相对于所述第三极化面的一第四极化面、一第三侧面和相对于所述第三侧面的一第四侧面，其中以所述辐射源的物理中心点与所述馈电点的连线方向定义为所述辐射源和所述辐射源基板的长度方向，所述参考地基板的宽度方向定义为与所述辐射源基板的宽度方向同向，所述第三极化面和所述第四极化面为对应所述第二基板的两宽边的两侧面，所述第三侧面和所述第四侧面为对应所述第二基板的两长边的两侧面，其中所述第三极化面为所述第二基板的在所述辐射源的物理中心点至所述馈电点的连线方向的侧面，其中所述辐射源基板以所述第三极化面、所述第四极化面、所述第三侧面以及所述第四侧面分别对应于所述参考地基板的所述第一极化面、所述第二极化面、所述第一侧面以及所述第二侧面的方式被保持于所述参考地基板的一侧，其中所述辐射源的对应于所述第二基板的所述第三侧面和所述第四侧面的侧面被内凹地设置。


2.根据权利要求1所述的微型化微波探测装置，其中所述辐射源向内凹陷的最大距离为一参数d，所述参数d的数值范围为：d≤λ/8，其中λ为所述微型化微波探测装置产生的探测微波的波长。


3.根据权利要求2所述的微型化微波探测装置，其中所述辐射源的宽度为一参数a，所述参数a的数值范围为：λ/8≤a≤λ/2，其中λ为所述微型化微波探测装置产生的探测微波的波长。


4.根据权利要求3所述的微型化微波探测装置，其中所述辐射源的长度为一参数b，所述参数b的数值范围为：λ/8≤b≤λ/2，其中λ为所述微型化微波探测装置产生的探测微波的波长。


5.根据权利要求4所述的微型化微波探测装置，其中所述辐射源和所述参考地之间在所述辐射源的长度方向存在一预设距离，其中在所述辐射源的物理中心点向所述馈电点方向，所述辐射源和所述参考地之间的预设距离定义为一参数c1，其中在所述辐射源的所述馈电点向物理中心点方向，所述辐射源和所述参考地之间的预设距离定义为一参数c2，其中所述参数c1、c2的数值范围满足：c1≥λ/64或c2≥λ/64，其中λ为所述微型化微波探测装置产生的探测微波的波长。


6.根据权利要求5所述的微型化微波探测装置，其中所述第二基板的所述第三极化面和所述第四极化面为平面，所述第三侧面和所述第四侧面为内凹曲面，所述辐射源的对应于所述第三极化面和所述第四极化面的侧面为平面，所述辐射源的对应于所述第三侧面和所述第四侧面的侧面为内凹曲面。


7.根据权利要求5所述的微型化微波探测装置，其中所述第二基板的所述第三极化面、所述第四极化面、所述第三侧面以及所述第四侧面为平面，所述辐射源对应于所述第二基板的所述第三极化面、所述第四极化面、所述第三侧面以及所述第四侧面的侧面为平面...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹高迪，邹明志，
申请(专利权)人：深圳迈睿智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44