【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其形成方法
本专利技术的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。
技术介绍
半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻图案化各种材料层以在材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的组件集成到给定区域中。在一些应用中，这些较小的电子组件也需要利用比常规封装件更小的面积或更小的高度的较小封装件。因此，新的封装技术已经开始开发。用于半导体器件的这些相对新型的封装技术面临制造挑战。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯包括：第一衬底，包括有源器件；互连结构，位于所述第一衬底上面并且包括多个金属层以及连接所述多个金属层的通孔，所述互连结构电耦合至所述有源器件；密封环结构，位于所述第一衬底上面并...
【技术保护点】
1.一种半导体封装件，包括：/n第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯包括：/n第一衬底，包括有源器件；/n互连结构，位于所述第一衬底上面，并且包括多个金属层以及连接所述多个金属层的通孔，所述互连结构电耦合至所述有源器件；/n密封环结构，位于所述第一衬底上面并且沿着所述第一衬底的外围，所述密封环结构包括多个金属层以及连接多个金属层的通孔，所述密封环结构具有最顶部金属层，所述最顶部金属层是最远离所述第一衬底的所述密封环结构的金属层，所述密封环结构的所述最顶部金属层具有内金属结构和外金属结构，所述内金属结构与所述外金属结构间隔开；以及/n聚合物层，位于所述密封环结构上方，所述聚...
【技术特征摘要】
20181031 US 62/753,340;20191010 US 16/598,7961.一种半导体封装件，包括：
第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯包括：
第一衬底，包括有源器件；
互连结构，位于所述第一衬底上面，并且包括多个金属层以及连接所述多个金属层的通孔，所述互连结构电耦合至所述有源器件；
密封环结构，位于所述第一衬底上面并且沿着所述第一衬底的外围，所述密封环结构包括多个金属层以及连接多个金属层的通孔，所述密封环结构具有最顶部金属层，所述最顶部金属层是最远离所述第一衬底的所述密封环结构的金属层，所述密封环结构的所述最顶部金属层具有内金属结构和外金属结构，所述内金属结构与所述外金属结构间隔开；以及
聚合物层，位于所述密封环结构上方，所述聚合物层具有最外边缘，所述最外边缘位于所述密封环结构的所述外金属结构的顶面上方，所述聚合物层的所述最外边缘横向位于所述密封环结构的所述外金属结构的侧壁之间。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述密封环结构的所述外金属结构具有第一高度和第一宽度，并且其中，所述外金属结构与所述内金属结构间隔开第一间距，其中，所述第一高度除以所述第一间距小于3。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述密封环结构的所述外金属结构具有第一高度和第一宽度，并且其中，所述聚合物层的最外边缘和所述密封环结构的所述外金属结构的最外边缘的距离为第一距离，所述第一距离大于或等于所述第一宽度的一半。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：
钝化层，位于所述密封环结构的所述最顶部金属层和所述聚合物层之间，所述钝化层是共形层。
5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述互连结构和所述密封环结构位于所述第一集成电路管芯中的相同层级处。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述互连结构还包括最顶部金属层，所述互连结构的所述最顶部金属层是最远离所述第一衬底的所述互连结构的金属层，所述互连结构的所述最顶部金属层位于与所述密封环结构的所述最顶部金属层相同的层级处。
7.根据权利要求6所述的半导体封装件，还包括：
导电连接件，位于所述聚合物层上，所述导电连接件延伸穿过...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾志翔，陈玉芬，林政仁，吕文雄，郑明达，许国经，许鸿生，查名鸿，王肇仪，李明机，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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