【技术实现步骤摘要】
一种测量盘及偏心值测量方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种测量盘及偏心值测量方法。
技术介绍
光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩膜上的图形转移到所在的衬底上。光刻工艺中的重要工序是对晶圆进行涂胶工序和边缘去除工序，上述工序均是在涂胶显影机台中完成，机台在工作运行一段时间后，晶圆在涂胶显影机台的旋转平台上会存在一定的偏心，为了检测这种偏心度，需要定期测量进行涂胶工序和边缘去除工序后的晶圆上光刻胶的边缘与晶圆的边缘之间的距离，现有技术中是通过测量晶圆在0度、90度、180度和270度四个方向上，光刻胶边缘与半导体边缘之间的距离来计算上述偏心度，而测量方法大都是通过人工拉直尺的方式进行测量，这种方法不仅在测量的精确度上难以保证，而且测量过程费时费力，效率低下。
技术实现思路
根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种测量盘及偏心值测量方法，通过预先制作一带有刻度的测量盘，并将测量盘按照预定的工序涂覆光刻胶，...
【技术保护点】
1.一种测量盘，应用于测量涂胶显影机台的偏心值，其特征在于，所述测量盘与待涂胶晶圆大小相同；/n所述测量盘上设置有刻度线，所述刻度线用于标识所述测量盘上至少两个相互垂直的直径方向上的刻度，用户根据所述刻度读取光刻胶位于测量盘的位置，以获取涂胶显影机台的偏心值。/n
【技术特征摘要】
1.一种测量盘，应用于测量涂胶显影机台的偏心值，其特征在于，所述测量盘与待涂胶晶圆大小相同；
所述测量盘上设置有刻度线，所述刻度线用于标识所述测量盘上至少两个相互垂直的直径方向上的刻度，用户根据所述刻度读取光刻胶位于测量盘的位置，以获取涂胶显影机台的偏心值。
2.根据权利要求1所述的测量盘，其特征在于，所述刻度线为以所述测量盘圆心为中心的十字交叉线。
3.根据权利要求1所述的测量盘，其特征在于，所述刻度线为以所述测量盘圆心为圆心的一组同心圆。
4.根据权利要求3所述的测量盘，其特征在于，所述同心圆中相邻两个圆的半径值相差15μm至25μm。
5.根据权利要求3所述的测量盘，其特征在于，所述同心圆中半径最大的圆的半径值比所述测量盘的半径值小15μm至25μm。
6.根据权利要求3所述的测量盘，其特征在于，所述同心圆中半径最小的圆的半径值比所述测量盘的半径值小8mm至12mm。
7.根据权利要求1所述的测量盘，其特征在于，所述刻度线通过光刻工艺和刻蚀工艺刻蚀到所述测量盘上。
8.根据权利要求1所述的测量盘，其特征在于，所述刻度线包括起始线，所述起始线位于所述测量盘的边缘且刻度值为0，从所述起始线开始向所述测量盘中心方向等间距设置间隔线，所述间隔线刻度值依次为1-M，继续向所述测量盘中心方向，等间距设置一基准线，所述基准线刻度值为0，继续向所述测量盘中心方向等间距设置间隔线，刻度值依次为1-N，其中M，N为大于1的整数。
9.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈帮，黄宇恒，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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