【技术实现步骤摘要】
晶圆处理方法及装置
本专利技术涉及半导体
，特别是指一种晶圆处理方法及装置。
技术介绍
随着半导体产业的不断发展和升级，为了降低制造成本，直拉硅单晶朝着大尺寸发展已经成为一种趋势，晶圆的尺寸由直径150mm、直径200mm、直径300mm向直径450mm发展；其中，集成电路作为半导体的一个重要分支，随着集成电路的飞速发展，其特征尺寸不断的降低，特征线宽由原来的45nm下降至32nm，目前，微电子领域中所采用的元器件的特征线宽正在向10nm以下的制程发展，对单晶硅基础材料提出了更高的要求。在硅单晶体内，生长缺陷包括COP(CrystalOriginatedParticle，晶体原生颗粒)缺陷、FPD(flowpatterndefect，流动图案缺陷)和LSTD(LaserScattering激光散射层析缺陷)。如今，大直径直拉单晶硅中存在的空洞型原生微缺陷，即COP缺陷数目，已成为影响集成电路成品率的关键因素。对不同缺陷产生机制的研究显示出它们是在凝固工艺，在从硅熔点1200℃到冷却过程产生的，它们的密度及分布强...
【技术保护点】
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：/n将表面形成有绝缘膜的晶圆置于掺杂有钠离子的电解液中作为电解阴极，所述晶圆表面的部分绝缘膜被去除；/n将铜板置于所述电解液中作为电解阳极；/n向所述电解阳极和所述电解阴极施加电信号，铜离子在所述晶圆的COP缺陷处还原为铜，根据还原出的铜检测所述晶圆表面的COP缺陷。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，包括：
将表面形成有绝缘膜的晶圆置于掺杂有钠离子的电解液中作为电解阴极，所述晶圆表面的部分绝缘膜被去除；
将铜板置于所述电解液中作为电解阳极；
向所述电解阳极和所述电解阴极施加电信号，铜离子在所述晶圆的COP缺陷处还原为铜，根据还原出的铜检测所述晶圆表面的COP缺陷。
2.根据权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述将表面形成有绝缘膜的晶圆置于掺杂有钠离子的电解液中作为电解阴极之前，所述方法还包括：
对所述晶圆表面进行热处理，在所述晶圆表面制备出氧化膜作为所述绝缘膜；
去除所述晶圆背面的氧化膜，使得所述晶圆具有导电性。
3.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述氧化膜的厚度为200～500埃。
4.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，热处理的温度为950～1050℃。
5.根据权利要求2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述去除所述晶圆背面的氧化膜包括：
将所述晶圆放置于浓度为20～30％的HF酸中，通过HF酸去除所述晶圆背面的氧化膜。
6.根据权利要求5所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述通过HF酸去除所述晶圆背面的氧化膜之后，所述方法还包括：
在超纯水中将残...
【专利技术属性】
技术研发人员：董博轩，郭恺辰，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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