晶粒尺寸的测量方法技术

在本发明专利技术提供的晶粒尺寸的测量方法中，通过对多个所述晶粒表面一测量路径内的多个测量点进行测量，以得到多个所述测量点的相对高度；根据所述测量路径的长度以及多个所述测量点的相对高度形成测量曲线；通过所述测量曲线得到相邻的两个所述晶粒的交接点；以及通过所述交接点确定所述晶粒的尺寸。由此，在测量所述晶粒的尺寸的过程中，避免对所述半导体衬底的切片，从而避免对所述半导体衬底的破坏。进一步的，由于避免了对所述半导体衬底的切片，从而缩短了测量所述晶粒的尺寸的周期，进而能够及时的得到所述晶粒的尺寸。

Measurement of grain size

【技术实现步骤摘要】
晶粒尺寸的测量方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种晶粒尺寸的测量方法。
技术介绍
在半导体制程中，薄膜生长必不可少。以及，在实际的产品生产过程中，在生长完薄膜之后，需要对薄膜进行量测以评判所生长的薄膜的品质，通常包括对薄膜的厚度和方块电阻等进行测量。此外，针对薄膜而言，薄膜的“晶粒尺寸”也是体现薄膜品质的一项重要指标。目前，在对薄膜的晶粒尺寸进行量测时，通常是对薄膜进行切片处理，接着再利用扫描电子显微镜测量出薄膜的晶粒尺寸。然而，现有的晶粒尺寸的量测方法中，需要对薄膜进行切片处理，具有破坏性，会导致对应的衬底需要被报废。并且，利用现有的量测方法，需要准备样品，利用机台对所述样品的晶貌进行成像，在对所述晶粒量测，其量测方法，通常是在样品上画一条对角线，在统计对角线上晶粒的尺寸大小，得到每个晶粒的尺寸。最后得到均值，标准差等晶粒分布的数据。即通过统计晶粒界面图中晶粒的平均面积来实现，但是晶粒的平均面积并不能很好地反映晶粒形状特点。其量测周期较长，存在量测结果滞后，从而无法及时的反馈所生长的薄膜的品质。可见，如何及时量测薄膜的晶粒尺寸，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述晶粒尺寸的测量方法包括：/n提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个晶粒；/n对多个所述晶粒表面一测量路径内的多个测量点进行测量，以得到多个所述测量点的相对高度；/n根据所述测量路径的长度以及多个所述测量点的相对高度形成测量曲线；/n通过所述测量曲线得到相邻的两个所述晶粒的交接点；以及，/n通过所述交接点确定所述晶粒的尺寸。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述晶粒尺寸的测量方法包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个晶粒；
对多个所述晶粒表面一测量路径内的多个测量点进行测量，以得到多个所述测量点的相对高度；
根据所述测量路径的长度以及多个所述测量点的相对高度形成测量曲线；
通过所述测量曲线得到相邻的两个所述晶粒的交接点；以及，
通过所述交接点确定所述晶粒的尺寸。


2.如权利要求1所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述测量路径为多个所述晶粒表面的一直线路径。


3.如权利要求1所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述测量点的相对高度为所述测量点与一基准点的相对高度。


4.如权利要求3所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，所述基准点为测量的所述测量路径内的第一个所述测量点。


5.如权利要求1所述的晶粒尺寸的测量方法，其特征在于，对多个所述晶粒表面一测量路径内的多个测量点进行测量的方法包括：
将所述半导体衬底置于测量机台中；
确定多个所述晶粒表面的所述测量路径；
对多个所述测量路径...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙洪福，罗锟，丁同国，姜国伟，王雷，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31