【技术实现步骤摘要】
晶片上粘合剂残留物检测
本公开涉及晶片处理领域，并且特别是涉及检测晶片上粘合剂残留物的检测。
技术介绍
在诸如例如晶片薄化和/或晶片背侧处理的晶片处理期间，晶片被暂时地接合到载体。有几种技术可用于在处理之后从载体卸除晶片。如果晶片是通过粘合剂接合到载体的，则卸除处理可以包括将载体从晶片分开并且然后从晶片去除粘合剂膜（其在分开处理之后仍在晶片上）。为了从晶片去除粘合剂膜，可以在粘合剂膜上施加剥离带。然后将剥离带剥离以便从晶片去除粘合剂膜。然而，可能发生的是剥离带并未完全将粘合剂膜从晶片去除。在这种情况下，粘合剂残留物将保留在晶片上。这样的粘合剂残留物可能在随后的晶片处理或晶片处置期间引起问题。进一步地，不得将带有粘合剂残留物的晶片交付给客户。因此，存在执行检查以便检测晶片上的粘合剂残留物的需求。
技术实现思路
描述了在通过使用剥离带从晶片剥离粘合剂膜之后检测晶片上的粘合剂残留物的方法。该方法可以包括在剥离之后利用第一UV（紫外）光照射剥离带并且从剥离带获取荧光图像。替换地或附加地，该方法可以包括在剥...
【技术保护点】
1.一种在通过使用剥离带将粘合剂膜从晶片剥离之后检测晶片上的粘合剂残留物的方法，所述方法包括：/n在剥离之后利用第一UV光照射剥离带，以及/n获取来自剥离带的荧光图像；和/或/n在剥离之后利用第二UV光照射晶片，以及/n获取来自晶片的荧光图像。/n
【技术特征摘要】
20181001 EP 18197928.71.一种在通过使用剥离带将粘合剂膜从晶片剥离之后检测晶片上的粘合剂残留物的方法，所述方法包括：
在剥离之后利用第一UV光照射剥离带，以及
获取来自剥离带的荧光图像；和/或
在剥离之后利用第二UV光照射晶片，以及
获取来自晶片的荧光图像。
2.根据权利要求1所述的方法，其中第一UV光被引导朝向剥离带的第一侧，剥离带的第一侧在剥离期间面向晶片。
3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：
在剥离之后利用第一可见或IR背侧光照射剥离带的与第一侧相对的第二侧；以及
获取来自剥离带的背侧光图像。
4.根据权利要求3所述的方法，其中利用同一第一相机获取来自剥离带的荧光图像和来自剥离带的背侧光图像，该同一第一相机具有用于来自第一UV光的荧光光和第一可见或IR背侧光的分离的信道，和/或使用第一UV光和第一可见或IR背侧光的复用。
5.根据前述权利要求之一所述的方法，进一步包括：
在剥离之后利用第二可见或IR背侧光照射晶片；以及
获取来自晶片的背侧光图像。
6.根据权利要求5所述的方法，其中利用同一第二相机获取来自晶片的荧光图像和来自晶片的背侧光图像，该同一第二相机具有用于来自第二UV光的荧光光和第二可见或IR背侧光的分离的信道，和/或使用第二UV光和第二可见或IR背侧光的复用。
7.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，进一步包括：
在剥离之前和/或在剥离之后利用在可见或IR范围内的前侧光照射晶片；以及
获取来自晶片的...
【专利技术属性】
技术研发人员：R穆尔，M费尔，W莱特格布，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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