一种次良品3D NAND降容使用的方法技术

本发明专利技术公开了一种次良品3D NAND降容使用的方法，包括以下步骤：步骤一、在封装过程中，检测出次良品3D NAND；步骤二、对次良品3D NAND进行标记，在系统中输入次良品缺陷项目与数量；步骤三、将次良品3D NAND后流，降容处理并进行降容测试；步骤四、按照次良品3D NAND的不同容量进行包装出货。由于次良品3D NAND的叠层芯片之间属于并连关系，不同于其它产品，任意一芯片异常不会影响整颗产品性能，同时3D NAND芯片来料造价成本高，本发明专利技术通过降容测试处理可以将成本损失降低到最低。

A method to reduce the capacity of 3D NAND

【技术实现步骤摘要】
一种次良品3DNAND降容使用的方法
本专利技术属于存储芯片加工领域，具体涉及一种次良品3DNAND降容使用的方法。
技术介绍
3DNAND产品的容量大，晶圆的价格高，特别是在做多叠芯片的时候，若封装过程中任何一层芯片报废就会导致整颗产品报废，影响其它叠层芯片。一般WB过程中打线异常，都会做报废处理。鉴于多叠芯片的线路连线，层与层之间为并联通道关系，读写数据不会互相干扰，通常一层芯片报废，整颗产品仍可降低容量使用，而现有处理方式造成的浪费较大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述现有技术对次良品3DNAND直接报废所造成的浪费较大的问题，提供一种次良品3DNAND降容使用的方法，减少部分芯片不良对晶圆造成的浪费。为了实现上述目的，本专利技术有如下的技术方案，包括以下步骤：步骤一、在封装过程中，检测出次良品3DNAND；步骤二、对次良品3DNAND进行标记，在系统中输入次良品缺陷项目与数量；步骤三、将次良品3DNAND后流，降容处理并进行降容测试；步骤四、按照次良品3DNAND的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种次良品3D NAND降容使用的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、在封装过程中，检测出次良品3D NAND；/n步骤二、对次良品3D NAND进行标记，在系统中输入次良品缺陷项目与数量；/n步骤三、将次良品3D NAND后流，降容处理并进行降容测试；/n步骤四、按照次良品3D NAND的不同容量进行包装出货。/n

【技术特征摘要】
1.一种次良品3DNAND降容使用的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、在封装过程中，检测出次良品3DNAND；
步骤二、对次良品3DNAND进行标记，在系统中输入次良品缺陷项目与数量；
步骤三、将次良品3DNAND后流，降容处理并进行降容测试；
步骤四、按照次良品3DNAND的不同容量进行包装出货。


2.根据权利要求1所述次良品3DNAND降容使用的方法，其特征在于：所述次良品3DNAND的缺陷包括封装过程造成的部分芯片损伤、连线缺失或者产品表面残次；
所述的次良品3DNAND为多叠芯片，各层芯片之间的线路为并连关系，互不干扰，所出现的缺陷仅导致该层芯片电性能失效，出现容量缺失，其它层芯片无异常。


3.根据权利要求1所述次良品3DNAND降容使用的方法，其特征在于：步骤二所述的系统为MES系统，次良品缺陷项目以代码的形式手动输入到系统当中。


4.根据权利要求1所述次良品3DNAND降容使用的方法，其特征在于：步骤二对次良品3DNAND检测发现的缺陷在基板map标识单上使用规定符号标识对应基板位置的缺陷，通过系统将不同缺陷的次良品3DNAND进行区分，步骤三将区分开的次良品分开测试容量。


5.根据权利要求1所述次良品3DNAND降容使用的方法，其特征在于，所述次良品3DNAND降容测试过程中由测试软件界面根据容量选择测试产品，测出其降容后的真实容量。


6.根据权利要求1所述次良品3DNAND降容使用的方法，其特征在于，对次良品3DNAND进行检测时先机检再目检单独区分，机检过程中先选择良品进行设备影像校读识别，作...

【专利技术属性】
技术研发人员：李凯，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61