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本发明公开了一种次良品3D NAND降容使用的方法，包括以下步骤：步骤一、在封装过程中，检测出次良品3D NAND；步骤二、对次良品3D NAND进行标记，在系统中输入次良品缺陷项目与数量；步骤三、将次良品3D NAND后流，降容处理并进行...
该专利属于华天科技(西安)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华天科技(西安)有限公司授权不得商用。

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