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本发明提供了一种晶圆处理方法及装置，属于半导体技术领域。晶圆处理方法，包括：将表面形成有绝缘膜的晶圆置于掺杂有钠离子的电解液中作为电解阴极，所述晶圆表面的部分绝缘膜被去除；将铜板置于所述电解液中作为电解阳极；向所述电解阳极和所述电解阴极施加...
该专利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安奕斯伟硅片技术有限公司授权不得商用。

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