用于半导体制造的化学品加热装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于半导体制造的化学品加热装置，包括：一外壳；一导流器，容置于该外壳中并形成有复数个流道及一或多个容置槽，其中该等流道与该一或多个容置槽结构上相互独立；及一或多个加热单元，容置于该一或多个容置槽以对该导流器加热。

Chemical heating device for semiconductor manufacturing

【技术实现步骤摘要】
用于半导体制造的化学品加热装置
本专利技术是关于一种化学品加热装置，尤其是关于一种用于半导体制造的化学品加热装置。
技术介绍
半导体制造过程中涉及多种化学源的利用，在工艺过程中对这些化学品温度的控制会影响整体制程的表现和产品性能。半导体制造中，对于化学物质所形成的颗粒度有严格的要求，此有赖于化学源料的加热和温度控制。然而，目前针对高纯度化学源料的加热手段有限。以流体的化学品而言，习知的加热方法是从流体通过的管路外以硅橡胶(siliconerubber)加热套包裹的方式实现流体化学品的加热和温控。这方面会遇到一些问题。例如，流体通过的某些特殊位置，像是歧管，硅橡胶加热套的贴合程度通常不佳，导致难以有效加热化学源料，因此容易造成流体的冷凝。若是在大流量的例子中，这种包裹加热套很难有效的在极短时间内加热流体。此外，这种包裹式管路的组件难以维护，其一旦发生故障需耗费时间拆卸。因此，有必要发展一种化学品加热装置，其赋予具有不同管路结构的半导体处理设备更有效地执行化学品的加热和温度控制，且具备维护方便的目的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于半导体制造的化学品加热装置，包括：一外壳，具有一入口及一出口，该入口和该出口供化学品进入及排出该壳体；一导流器，容置于该外壳中并形成有复数个流道及一或多个容置槽，其中该等流道与该入口和该出口连通且该等流道与该一或多个容置槽结构上相互独立；及一或多个加热单元，容置于该一或多个容置槽以对该导流器加热。在一具体实施例中，加热装置还包括：一或多个温度感应单元，容置于该一或多个容置槽以感测该导流器的温度。在一具体实施例中，该等流道的长度总合大于该外壳的一长边。在一具体实施例中，该等流道具有多个转折。在一具体实施例中，该等流道彼此平行。在一具体实施例中，该导流器具有复数层的所述流道。在一具体实施例中，该一或多个容置槽于该导流器中延伸且独立于该等流道。在一具体实施例中，多个容置槽延伸于该导流体中并分别为在对应流道的一侧。在一具体实施例中，一个容置槽延伸于该导流器中并被该等流道包围。在一具体实施例中，该壳体的入口和该壳体的出口为不同方向。在一具体实施例中，含一或多个冷却单元，容置于该导流器的一或多个容置槽。在一具体实施例中，该外壳的入口连通耦接至一化学源，而该外壳的出口连通耦接至一半导体处理站的一气体供应组件。本专利技术的另一目的在于提供一种多站半导体处理腔，包含：所述加热装置；多个处理腔；及一分配器，连接于所述加热装置与多个处理腔之间，以将加热的化学品分配置各处理腔。在以下本专利技术的说明书以及藉由本专利技术原理所例示的图式当中，将更详细呈现本专利技术的这些与其他特色和优点。附图说明参照下列图式与说明，可更进一步理解本专利技术。非限制性与非穷举性实例系参照下列图式而描述。在图式中的构件并非必须为实际尺寸；重点在于说明结构及原理。图1显示利用本专利技术加热装置的多站半导体处理腔；图2显示连接有本专利技术加热装置的化学品分配器；图3显示本专利技术加热装置的第一实施例；图4显示图3的局部内部结构；图5显示本专利技术加热装置的第二实施例；。图6显示图5根据AA线的剖面图；图7显示图5根据BB线的剖面图。具体实施方式下面将参考图式更完整说明本专利技术，并且藉由例示显示特定范例具体实施例。不过，本主张主题可具体实施于许多不同形式，因此所涵盖或申请主张主题的建构并不受限于本说明书所揭示的任何范例具体实施例；范例具体实施例仅为例示。同样，本专利技术在于提供合理宽阔的范畴给所申请或涵盖之主张主题。除此之外，例如主张主题可具体实施为方法、装置或系统。因此，具体实施例可采用例如硬件、软件、韧体或这些的任意组合(已知并非软件)之形式。本说明书内使用的词汇「在一实施例」并不必要参照相同具体实施例，且本说明书内使用的「在其他(一些/某些)实施例」并不必要参照不同的具体实施例。其目的在于例如主张的主题包括全部或部分范例具体实施例的组合。图1显示一多站半导体处理腔1的顶部配置，包含六个处理腔10的顶部，其以一中心排列。多站半导体处理腔1的一侧提供有一对开口20，其允许一对晶圆载入腔1及自其卸除。尽管图中未显示，但可了解该腔1中包含于站和站之间移动的机械手壁或刀片，以将晶圆在站与站之间运送。站具有独立于其他站的晶圆座及处理区域。意即，在工艺期间，站与站由隔离组件防止反应物质相互干扰。该腔1还包含气体供应组件及排气信道。气体供应组件包含位于该腔1顶部的盖体、歧管、喷淋板及喷淋头等，其接收来自一或多个化学源(未显示)的物质作为晶圆处理的反应气体。其他的部件和配置不在此逐一赘述，以聚焦本专利技术的实施例。多站半导体处理腔1的顶部中央配置有一分配器30，其与上游的所述化学源连通耦接以接收用于反应的物质并将物质混合后分配至一或多个站所属的气体供应组件。本专利技术的加热装置40配置于分配器30及上游气体供应组件之间以传递并将化学物质适当快速地加热，达到成为反应气体的预期条件。加热的气体经过分配器30后，通过复数组末端气体供应组件(图中有三个分支，且每一分支又与两个处理腔连通)被输送到反应位置。图2显示加热装置40的一端可以适当的方式连接至分配器30，而加热装置40的另一端具有用于接收不同讯号的多个导线。相关细节详细将说明如下。本实施例仅显示加热装置40与下游支线管路连接，但在其他可能实施例中的加热装置40可以配置于较为上游的位置并与主管线连接。图3显示本专利技术加热装置40的第一实施例，其包含一外壳401。外壳401由一长边L、一宽边W和一厚度T所定义。长边L和宽边W定义外壳401的上和下表面(未标号)，而宽边W与厚度T则定义外壳401的两侧。外壳401具有一入口403和一出口402分别配置于外壳401的两侧。出口402和入口403分别供化学品进入及排出壳体401。在具有出口402的一侧提供有一连接器404连通耦接至如图2的分配器30。在具有入口403的一侧提供有另一连接器405连通耦接至的所述气体上游供应组件。此外，在具有入口403的一侧还提供有一对加热单元406的多个导线及一对温度感应单元407的多个导线，其可以适当的方式连接至一控制器(未显示)，如多站半导体处理腔的过程控制器。虽然未显示，但应可了解，这些导线的部分穿越外壳401至其内部并与内部的表面接触从而实现加热和测温。图4显示通过外壳401上表面所见的内部结构，即外壳401容置有一导流器408，其配置成引导化学品自入口403流向出口402并提供加热。导流器408具有从入口403和出口402伸出的连接端(未标号)以和所述连接器404、405连接，使导流器408与提供化学品的所述分配器30和提供反应气体的气体供应组件连通耦接。在其他实施例中，尽管未显示，导流器408可提供分流的结构于靠近入口403处，并与复数个流道相连以达成内部分流加热的目的。导流器408具有相互独立的一第一容置空间和一第二容置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于半导体制造的化学品加热装置，其特征在于，包括：/n一外壳，具有一入口及一出口，该入口和该出口供化学品进入及排出该壳体；/n一导流器，容置于该外壳中并形成有复数个流道及一或多个容置槽，其中该等流道与该入口和该出口连通且该等流道与该一或多个容置槽结构上相互独立；及/n一或多个加热单元，容置于该一或多个容置槽以对该导流器加热。/n

【技术特征摘要】
1.用于半导体制造的化学品加热装置，其特征在于，包括：
一外壳，具有一入口及一出口，该入口和该出口供化学品进入及排出该壳体；
一导流器，容置于该外壳中并形成有复数个流道及一或多个容置槽，其中该等流道与该入口和该出口连通且该等流道与该一或多个容置槽结构上相互独立；及
一或多个加热单元，容置于该一或多个容置槽以对该导流器加热。


2.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于，还包括：一或多个温度感应单元，容置于该一或多个容置槽以感测该导流器的温度。


3.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于：该等流道的长度总合大于该外壳的一长边。


4.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于：该等流道具有多个转折。


5.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于：该等流道彼此平行。


6.如权利要求1所述的加热装置，其特征在于：该导流器具有复数层的所述流道。


7.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭华强，王卓，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21