衬底处理设备和方法技术

一种衬底处理设备，其配备有用以在其上支撑衬底载体的衬底载体支撑件。所述载体支撑件包含用以支撑所述衬底载体的顶部支撑表面；隔热材料的隔热主体；以及用以加热所述载体支撑件的主加热器。所述隔热主体至少设置在所述支撑表面与所述主加热器之间。

Substrate processing equipment and methods

【技术实现步骤摘要】
衬底处理设备和方法
本公开涉及衬底处理设备和方法的领域。更具体地说，本公开涉及一种衬底处理设备，其配备有用以在其上支撑衬底载体的衬底载体支撑件。所述载体支撑件包含用以支撑衬底载体的顶部支撑表面；隔热材料的隔热主体；以及用以加热载体支撑件的主加热器。
技术介绍
在竖直批式炉中同时处理多个衬底(例如，半导体晶片)存在如何使堆叠到衬底载体(例如晶舟)中的所有晶片的相应表面区域上经受基本上相同的加工条件的问题。一种此类加工条件是温度均匀。为了在一批晶片中获得均匀的加工结果，可优选地通过安置成接近于反应室的侧壁且接近反应室的顶壁的加热构件将其每一个晶片基本上均匀地加热到共同温度。尤其关于衬底舟中的上部晶片，晶片到晶片温度均匀性通常不是一个重要问题，而晶片内温度均匀性(由于熔炉构造中的不对称性)可通过任选的舟旋转机构增强。然而，在竖直批式炉中，晶舟中下部晶片的温度均匀性可能证明难以改善。这可能是由于它们紧密地位于反应室的相对较冷的下门区。为减轻其位置的影响，从下方支撑晶舟的底座可配备有用于加热下部晶片的主加热器。在衬底载体中的衬底可能被移出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底处理设备，其配备有用以在其上支撑衬底载体的衬底载体支撑件，其中所述载体支撑件包含：/n顶部支撑表面，其用以支撑所述衬底载体；/n隔热材料的隔热主体；和，/n主加热器，其用于加热所述载体支撑件，其中所述隔热主体至少设置在所述支撑表面与所述主加热器之间。/n

【技术特征摘要】
20181003 US 16/151,0741.一种衬底处理设备，其配备有用以在其上支撑衬底载体的衬底载体支撑件，其中所述载体支撑件包含：
顶部支撑表面，其用以支撑所述衬底载体；
隔热材料的隔热主体；和，
主加热器，其用于加热所述载体支撑件，其中所述隔热主体至少设置在所述支撑表面与所述主加热器之间。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述载体支撑件包含侧板，且所述隔热主体设置在所述侧板与所述主加热器之间。


3.根据权利要求1所述的设备，其中所述载体支撑件包含底板，且所述隔热主体设置在所述底板与所述主加热器之间。


4.根据权利要求1所述的设备，其中所述隔热主体基本上包围所述主加热器。


5.根据权利要求1所述的设备，其中所述隔热主体使所述主加热器与其周围环境隔热。


6.根据权利要求1所述的设备，其中所述载体支撑件包含在所述支撑表面与所述隔热主体之间的副加热器。


7.根据权利要求6所述的设备，其中所述主加热器包含大于所述副加热器的加热功率。


8.根据权利要求1所述的设备，其中所述主加热器具有在0.5与10千瓦之间的功率。


9.根据权利要求6所述的设备，其中所述副加热器具有在0.1与3千瓦之间的功率。


10.根据权利要求6所述的设备，其中所述设备包含限定反应空间的反应室，和开口，经由所述开口，支撑在所述载体支撑件上的衬底载体能在所述反应空间中移动，其中所述设备包含用以控制所述载体支撑件的温度的热控制器，所述热控制器可操作地连接到所述副加热器，且经编程以在所述衬底载体位于所述反应空间外部时关闭所述副加热器。


11.根据权利要求10所述的设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·奥斯特拉肯，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL