湿刻装置及基板湿刻方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种湿刻装置及面板湿刻方法，该湿刻装置包括刻蚀腔、刻蚀液、以及腔内传送构件，在刻蚀过程中，腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角；通过将腔内传送构件设置成一定的角度，使得基板在刻蚀的过程中呈倾斜状态传送，借助于刻蚀液对基板表面的作用力，加强了基板表面材料与刻蚀液的置换作用，使得反应产物更容易扩散出来，减小了反应产物残留在基板不易扩散图形区域(孔，拐角等)的风险；同时，使得刻蚀液与待反应材料能更有效的接触，降低了刻蚀不完全情况的发生，有利于得到高品质的刻蚀图案。

Wet etching device and substrate wet etching method

【技术实现步骤摘要】
湿刻装置及基板湿刻方法
本专利技术涉及显示面板领域，尤其涉及一种湿刻装置及基板湿刻方法。
技术介绍
在显示面板的制程中，湿刻是指使刻蚀液与基板表面的材料选择性的接触，从而发生反应，得到特定图案的过程。因此，反应物的相互接触、反应的均匀发生、以及反应产物的向外扩散都是面板制程中十分重要的影响因素。目前所使用的湿刻机台的流片均沿着同一方向的相同高度下进行，若反应后得到一些尺寸较小的深孔，由于置换作用的不足，一方面，反应产物很难从孔中扩散出来，从而将造成了反应产物残留的风险；另一方面，孔内的反应材料由于无法与刻蚀液有效接触，会造成刻蚀不完全的情况。因此，现有显示面板存在湿刻过程中反应物残留以及刻蚀不完全的问题，需要解决。
技术实现思路
本专利技术提供一种湿刻装置及基板湿刻方法，以缓解现有显示面板存在湿刻过程中反应物残留以及刻蚀不完全的问题。为解决以上问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种湿刻装置，包括：一种湿刻装置，其特征在于，包括：刻蚀腔；>刻蚀液，容纳于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿刻装置，其特征在于，包括：/n刻蚀腔；/n刻蚀液，容纳于所述刻蚀腔内；/n腔内传送构件，设置于所述刻蚀腔内；/n在刻蚀过程中，所述腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角。/n

【技术特征摘要】
1.一种湿刻装置，其特征在于，包括：
刻蚀腔；
刻蚀液，容纳于所述刻蚀腔内；
腔内传送构件，设置于所述刻蚀腔内；
在刻蚀过程中，所述腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角。


2.如权利要求1所述的湿刻装置，其特征在于，所述锐角的大小为5°～30°。


3.如权利要求1所述的湿刻装置，其特征在于，在传送待湿刻基板时，所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔入口部分的水平高度，大于所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔出口部分的水平高度。


4.如权利要求3所述的湿刻装置，其特征在于，所述腔内传送构件为传送带构件、传送轴构件、传送滚轮构件中的任意一种。


5.如权利要求4所述的湿刻装置，其特征在于，所述腔内传送构件为固定设置。


6.如权利要求4所述的湿刻装置，其特征在于，所述传送带构件包括传送带以及位于所述传送带两端，驱动所述传送带的转动轴，靠近所述刻蚀腔出口处的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭钊，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44