湿刻装置及基板湿刻方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种湿刻装置及面板湿刻方法，该湿刻装置包括刻蚀腔、刻蚀液、以及腔内传送构件，在刻蚀过程中，腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角；通过将腔内传送构件设置成一定的角度，使得基板在刻蚀的过程中呈倾斜状态传送，借助于刻蚀液对基板表面的作用力，加强了基板表面材料与刻蚀液的置换作用，使得反应产物更容易扩散出来，减小了反应产物残留在基板不易扩散图形区域(孔，拐角等)的风险；同时，使得刻蚀液与待反应材料能更有效的接触，降低了刻蚀不完全情况的发生，有利于得到高品质的刻蚀图案。

Wet etching device and substrate wet etching method

【技术实现步骤摘要】
湿刻装置及基板湿刻方法
本专利技术涉及显示面板领域，尤其涉及一种湿刻装置及基板湿刻方法。
技术介绍
在显示面板的制程中，湿刻是指使刻蚀液与基板表面的材料选择性的接触，从而发生反应，得到特定图案的过程。因此，反应物的相互接触、反应的均匀发生、以及反应产物的向外扩散都是面板制程中十分重要的影响因素。目前所使用的湿刻机台的流片均沿着同一方向的相同高度下进行，若反应后得到一些尺寸较小的深孔，由于置换作用的不足，一方面，反应产物很难从孔中扩散出来，从而将造成了反应产物残留的风险；另一方面，孔内的反应材料由于无法与刻蚀液有效接触，会造成刻蚀不完全的情况。因此，现有显示面板存在湿刻过程中反应物残留以及刻蚀不完全的问题，需要解决。
技术实现思路
本专利技术提供一种湿刻装置及基板湿刻方法，以缓解现有显示面板存在湿刻过程中反应物残留以及刻蚀不完全的问题。为解决以上问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种湿刻装置，包括：一种湿刻装置，其特征在于，包括：刻蚀腔；刻蚀液，容纳于所述刻蚀腔内；腔内传送构件，设置于所述刻蚀腔内；在刻蚀过程中，所述腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角。在本专利技术提供的湿刻装置中，所述锐角的大小为5°-30°。在本专利技术提供的湿刻装置中，在传送待湿刻基板时，所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔入口部分的水平高度，大于所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔出口部分的水平高度。在本专利技术提供的湿刻装置中，所述腔内传送构件为传送带构件、传送轴构件、传送滚轮构件中的任意一种。在本专利技术提供的湿刻装置中，所述腔内传送构件为固定设置。在本专利技术提供的湿刻装置中，所述传送带构件包括传送带以及位于所述传送带两端，驱动所述传送带的转动轴，靠近所述刻蚀腔出口处的所述转动轴为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。在本专利技术提供的湿刻装置中，靠近所述刻蚀腔入口处的所述转动轴为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。在本专利技术提供的湿刻装置中，所述传送轴构件包括传送轴，所述传送轴均为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。在本专利技术提供的湿刻装置中，所述传送轴构件包括传送轴，存在至少一个所述传送轴为固定设置，且存在至少一个所述传送轴为活动设置，可以在竖直方向上上下移动。同时，本专利技术提供一种基板的湿刻方法，所述湿刻方法采用上述任一所述的湿刻装置进行，包括：在刻蚀腔内循环注入刻蚀液；将待刻蚀基板传送至所述刻蚀腔内，所述基板上设置有待刻蚀膜层的一侧竖直朝上；通过腔内传送构件，将所述基板在所述刻蚀腔内传送，让所述刻蚀液对所述待刻蚀膜层进行刻蚀；将刻蚀后的所述基板传送出所述刻蚀腔。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供一种湿刻装置及面板湿刻方法，该湿刻装置包括刻蚀腔、刻蚀液、以及腔内传送构件，在刻蚀过程中，腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角；通过将腔内传送构件设置成一定的角度，使得基板在刻蚀的过程中呈倾斜状态传送，借助于刻蚀液对基板表面的作用力，加强了基板表面材料与刻蚀液的置换作用，使得反应产物更容易扩散出来，减小了反应产物残留在基板不易扩散图形区域(孔，拐角等)的风险；同时，使得刻蚀液与待反应材料能更有效的接触，降低了刻蚀不完全情况的发生，有利于得到高品质的刻蚀图案。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有的湿刻装置的结构示意图。图2为图1为局部放大示意图。图3为本专利技术实施例提供的湿刻装置的第一种结构示意图。图4(a)为本专利技术实施例提供的湿刻装置的第二种结构在第一状态下的结构示意图。图4(b)为本专利技术实施例提供的湿刻装置的第二种结构在第二状态下的结构示意图。图4(c)为本专利技术实施例提供的湿刻装置的第二种结构在第三状态下的结构示意图。图5为本专利技术实施例提供的湿刻装置的第三种结构示意图。图6(a)为本专利技术实施例提供的湿刻装置的第四种结构在第一状态下的结构示意图。图6(b)为本专利技术实施例提供的湿刻装置的第四种结构在第二状态下的结构示意图。图6(c)为本专利技术实施例提供的湿刻装置的第四种结构在第三状态下的结构示意图。图7为本专利技术实施例提供的湿刻装置的第五种结构示意图。图8为本专利技术实施例提供的基板的湿刻方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术的具体实施方案，对本专利技术实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本专利技术一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本专利技术中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本专利技术保护范围。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。湿刻是通过待刻蚀对象材料与刻蚀液之间的化学反应，对待刻蚀对象材料进行刻蚀的过程。在湿刻过程中，刻蚀液不断被消耗，与待刻蚀对象材料不断反应生成反应物，待刻蚀对象周围不断形成浓度梯度，促使新的刻蚀液不断向待刻蚀对象输送，并将反应生成物从其表面除去，从而使新的刻蚀液与待刻蚀对象材料接触。在显示面板的制备工艺中，湿刻主要包括对光刻胶的显影过程，和对金属导电膜的湿刻蚀过程。光刻胶的显影过程是指将被曝光的正性光阻，或未被曝光的负性光阻溶解到显影液中，从而去除的过程。在该过程中，刻蚀液为显影液，正性光阻的刻蚀液包括强碱性的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液、四甲基氢氧化铵的水溶液等，负性光阻的刻蚀液包括强碱性的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液、弱碱性的碳酸氢盐水溶液等。金属导电薄膜的湿刻蚀过程是指利用高刻蚀选择比的药液，去除待刻蚀薄膜，保护非待刻蚀薄膜，实现图案化的过程，金属导电薄膜包括金属薄膜(如金属铝薄膜、金属铜薄膜等)、金属氧化物薄膜(氧化铟锡薄膜等)。在金属导电薄膜的刻蚀过程中，待刻蚀薄膜组分不同，所采用的刻蚀液也会不同，例如金属铝薄膜的刻蚀液的主要成分为大量的醋酸、少量的硝酸和磷酸、以及微量的添加剂，氧化铟锡薄膜的刻蚀液的主要成分为硫酸和硝酸。浸润法是显示面板制备过程中常用的一种湿刻方法，该方法是通过将待刻蚀基板浸没入刻蚀液中，待刻蚀基板在刻蚀腔内做横向运动，从而使基板表面待刻蚀薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种湿刻装置，其特征在于，包括：/n刻蚀腔；/n刻蚀液，容纳于所述刻蚀腔内；/n腔内传送构件，设置于所述刻蚀腔内；/n在刻蚀过程中，所述腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角。/n

【技术特征摘要】
1.一种湿刻装置，其特征在于，包括：
刻蚀腔；
刻蚀液，容纳于所述刻蚀腔内；
腔内传送构件，设置于所述刻蚀腔内；
在刻蚀过程中，所述腔内传送构件所在的平面，与水平面所成的夹角为锐角。


2.如权利要求1所述的湿刻装置，其特征在于，所述锐角的大小为5°～30°。


3.如权利要求1所述的湿刻装置，其特征在于，在传送待湿刻基板时，所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔入口部分的水平高度，大于所述腔内传送构件靠近所述刻蚀腔出口部分的水平高度。


4.如权利要求3所述的湿刻装置，其特征在于，所述腔内传送构件为传送带构件、传送轴构件、传送滚轮构件中的任意一种。


5.如权利要求4所述的湿刻装置，其特征在于，所述腔内传送构件为固定设置。


6.如权利要求4所述的湿刻装置，其特征在于，所述传送带构件包括传送带以及位于所述传送带两端，驱动所述传送带的转动轴，靠近所述刻蚀腔出口处的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭钊，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44