【技术实现步骤摘要】
本申请属于显示，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
1、随着面板技术的发展，面板器件在高温状态下的性能变化正越来越受重视。由于这种性能变化与面板器件所处实际温度密切相关，因此，需要一种应用于面板器件的阵列基板，来监控面板器件工作时的实际温度，以便于知晓面板器件的工作状态。
技术实现思路
1、专利技术目的：本申请实施例提供一种阵列基板，用于监测显示面板工作时的实际温度；本申请实施例的另一目的是提供一种阵列基板的制备方法。
2、技术方案：本申请实施例所述的一种阵列基板，包括：
3、衬底层；
4、第一晶体管，设置于所述衬底层的一侧；所述第一晶体管包括第一半导体层；
5、第二晶体管，设置于所述衬底层朝向所述第一晶体管的一侧，并与所述第一晶体管串联；所述第二晶体管包括第二半导体层；
6、所述第一半导体层的热敏感度低于所述第二半导体层的热敏感度。
7、在一些实施例中，所述第一半导体层为金属氧化物半导体层，所述第二半导体层为氢化非晶硅半导体层。
8、在一些实施例中，所述第一晶体管包括第一源极、第一漏极和第一栅极，所述第一源极、所述第一漏极及所述第一半导体层同层设置，所述第一栅极设置于所述第一半导体层背离所述衬底层的一侧。
9、在一些实施例中，所述第二晶体管包括第二源极、第二漏极和第二栅极，所述第二栅极设置于所述衬底层的一侧，所述第二半导体层设置于所述第二栅极背离所述衬底层的一侧，所述第二源极
10、在一些实施例中，所述第一栅极与所述第二栅极同层设置。
11、在一些实施例中，还包括：
12、第一绝缘层，设置于所述第一栅极与所述第一半导体层之间；
13、第二绝缘层，设置于所述第二栅极与所述第二半导体层之间。
14、在一些实施例中，所述第一绝缘层覆盖所述衬底层、所述第一源极、所述第一半导体层以及所述第一漏极；所述第二绝缘层覆盖所述第一栅极、所述第二栅极以及所述第一绝缘层。
15、在一些实施例中，还包括：
16、保护层，设置于所述第二晶体管及所述第一晶体管背离所述衬底层的一侧；所述阵列基板设有：贯穿所述保护层、所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层并与所述第一源极相对的第一通孔，贯穿所述保护层和所述第二绝缘层并与所述第一栅极相对的第二通孔，贯穿所述保护层、所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层并与所述第一漏极相对的第三通孔，贯穿所述保护层并与所述第二源极相对的第四通孔，贯穿所述保护层并与所述第二漏极相对的第五通孔，以及贯穿所述保护层和所述第二绝缘层并与所述第二栅极相对的第六通孔；
17、电极层，设置于所述保护层背离所述第二晶体管及所述第一晶体管的一侧；所述电极层包括：第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极，所述第一电极穿过所述第一通孔与所述第一源极连接，所述第二电极穿过所述第二通孔与所述第一栅极连接，所述第三电极的一端穿过所述第三通孔与所述第一漏极连接，所述第三电极的另一端穿过所述第四通孔与所述第二源极连接，所述第四电极穿过所述第五通孔与所述第二漏极连接，所述第五电极穿过所述第六通孔与所述第二栅极连接。
18、在一些实施例中，所述第二半导体层包括：
19、氢化非晶硅半导体层，设置于所述第二绝缘层背离所述第二栅极的一侧；
20、磷掺杂氢化非晶硅半导体层，设置于所述氢化非晶硅半导体层背离所述第二绝缘层的一侧。
21、在一些实施例中，所述第一电极接入输出电压信号，所述第二电极接入第一栅极电压信号，所述第四电极接入输入电压信号，所述第五电极接入第二栅极电压信号；
22、其中，所述输入电压信号、所述输出电压信号及所述第二栅极电压信号均为直流电压信号，所述第一栅极电压信号为交流电压信号。
23、相应的，本申请实施例的一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：
24、提供衬底层；
25、在所述衬底层的一侧形成第一晶体管和第二晶体管，并使所述第一晶体管和所述第二晶体管串联；其中，所述第一晶体管包括第一半导体层；所述第二晶体管包括第二半导体层；所述第一半导体层的热敏感度低于所述第二半导体层的热敏感度。
26、有益效果：与现有技术相比，本申请实施例的一种阵列基板，包括衬底层、第一晶体管及第二晶体管；第一晶体管设置于衬底层的一侧，第一晶体管包括第一半导体层；第二晶体管设置于衬底层朝向第一晶体管的一侧，并与第一晶体管串联；第二晶体管包括第二半导体层；其中第一半导体层的热敏感度低于第二半导体层的热敏感度。本申请通过第一晶体管与第二晶体管串联形成温度传感器，利用第一晶体管的热敏管度低于第二晶体管的热敏感度，实现利用第二晶体管感应显示面板的温度，并利用第一晶体管读取温度变化产生的传感器电学信号，从而能够同时实现温度传感寻址，且具有高灵敏度、噪声低、串扰小、电路简单，同时采用氢化非晶硅半导体制作的晶体管能够同时适用于大尺寸和小尺寸显示面板领域，使该阵列基板具有更大的应用范围。
27、与现有技术相比，本申请实施例的一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：提供衬底层；在衬底层的一侧形成第一晶体管和第二晶体管，并使第一晶体管和第二晶体管串联；其中，第一晶体管包括第一半导体层，第二晶体管包括第二半导体层，第一晶体管的热敏感度低于第二半导体层的热敏感度。本申请的阵列基板的制备方法整体工艺简单，能够在显示面板制作过程中同时制备，不用额外的工艺步骤，实现工艺步骤的简化。且本申请的制备方法制备的阵列基板能够同时实现温度传感寻址，且具有高灵敏度、噪声低、串扰小、电路简单，同时采用氢化非晶硅半导体制作的晶体管能够同时适用于大尺寸和小尺寸显示面板领域，使该阵列基板具有更大的应用范围。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层为金属氧化物半导体层，所述第二半导体层为氢化非晶硅半导体层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管包括第一源极、第一漏极和第一栅极，所述第一源极、所述第一漏极及所述第一半导体层同层设置，所述第一栅极设置于所述第一半导体层背离所述衬底层的一侧。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二晶体管包括第二源极、第二漏极和第二栅极，所述第二栅极设置于所述衬底层的一侧，所述第二半导体层设置于所述第二栅极背离所述衬底层的一侧，所述第二源极设置于所述第二半导体层背离所述第二栅极的一侧，所述第二源极与所述第二漏极同层设置；所述第二源极与所述第一漏极串联连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极与所述第二栅极同层设置。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层覆盖所述衬底层、所述第一源极、所述第
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二半导体层包括：
10.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极接入输出电压信号，所述第二电极接入第一栅极电压信号，所述第四电极接入输入电压信号，所述第五电极接入第二栅极电压信号；
11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层为金属氧化物半导体层，所述第二半导体层为氢化非晶硅半导体层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管包括第一源极、第一漏极和第一栅极，所述第一源极、所述第一漏极及所述第一半导体层同层设置，所述第一栅极设置于所述第一半导体层背离所述衬底层的一侧。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二晶体管包括第二源极、第二漏极和第二栅极，所述第二栅极设置于所述衬底层的一侧，所述第二半导体层设置于所述第二栅极背离所述衬底层的一侧，所述第二源极设置于所述第二半导体层背离所述第二栅极的一侧，所述第二源极与所述第二漏极同层设置；所述第二源极与所述第一漏极串联连接。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：周志超，谭志威，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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