一种三维NAND存储器单元的建模方法及装置制造方法及图纸

一种三维NAND存储器单元的建模方法，包括以下步骤：遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系；运用BSIM4器件模型方法得到虚设存储器单元的电流/电压模型；对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据；利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数，得到实际存储器单元器件电流/电压特性。本发明专利技术提供的一种三维NAND存储器单元的建模方法，得到实际存储器单元器件特性精确的仿真出存储器单元的器件特性，并建立一种模型来描述不同电压条件下的存储器单元的电流/电压关系。

A modeling method and device of 3D NAND memory cell

【技术实现步骤摘要】
一种三维NAND存储器单元的建模方法及装置
本专利技术涉及存储器
，特别涉及一种三维NAND存储器单元的建模方法。
技术介绍
随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如NAND存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即三维NAND存储器(3DNANDFlash)；随着集成度的越来越高，三维NAND存储器已经从32层发展到64层，甚至更高的层数。由于三维NAND存储器特有的堆叠技术，其存储器单元构造有别去普通的闪存（NANDflash）。为了精确的仿真出三维NAND存储器的器件特性，需要建立一种模型来描述不同电压条件下的存储器单元的电流/电压关系。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种三维NAND存储器单元的建模方法，通过建立一种模型来描述不同电压条件下的存储器单元的电流/电压关系，精确的仿真出三维NAND存储器的器件特性。为实现上述目的，本专利技术提供的一种三维N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维NAND存储器单元的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：/n遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系；/n运用BSIM4器件模型方法得到虚设存储器单元的电流/电压模型；/n对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据；/n利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数，得到实际存储器单元器件电流/电压特性。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维NAND存储器单元的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：
遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系；
运用BSIM4器件模型方法得到虚设存储器单元的电流/电压模型；
对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据；
利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数，得到实际存储器单元器件电流/电压特性。


2.根据权利要求1所述的三维NAND存储器单元的建模方法，其特征在于，所述遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系的步骤，进一步包括以下步骤：
选取顶层的存储器单元，根据选定的电压范围，测出电流特性，得到顶层的存储器单元电阻特性关系；
选取顶层之外的存储器单元，并根据选定的电压范围，测出其电流特性，得到该存储器单元的电阻特性，直至遍历至最底层，得到所有层的存储器单元的电阻特性关系。


3.根据权利要求1所述的三维NAND存储器单元的建模方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁明红，
申请(专利权)人：南京九芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32